参数选型
晶圆/裸片
支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师
晶圆/裸片(Wafer / Bare Die)是以晶圆或已切割裸芯片形态供货的功率 MOSFET,供客户自行封装、模块集成或混合集成(MCM/SiP)使用。涵盖 SGT、Trench、超结等硅基工艺,覆盖 8 吋与 12 吋线,参数含裸片尺寸、单片可切割 die 数、减薄厚度及主要电学特性。
- 按工艺(SGT / Trench / 超结)与耐压选型,电学参数与对应封装成品一致
- 裸片尺寸与单片 die 数用于评估晶圆利用率与成本
- 减薄厚度影响热阻与后道封装工艺,需按封装方案确认
- 晶圆 / 裸片供货的起订量与交期以原厂确认为准
AI选型助手 · 晶圆/裸片
试运行中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 2000
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1500
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.6
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 2000
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1500
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.6
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 6600
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 5100
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 2000
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1500
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.2
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 5900
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 3000
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.6
中晶新源
- 工艺
- SJ
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 12
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 0.8
中晶新源
- 工艺
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- N
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- 30
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 35
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 25
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 4
中晶新源
- 工艺
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- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 30
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 24
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 19
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.6
中晶新源
- 工艺
- SGT
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- P
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- -100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 40
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 30
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
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- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -20
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -0.7
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -30
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 45
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 37
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -0.8
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -30
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 48
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 39
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.6
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -30
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 55
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 45
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.5
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -30
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 58
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 48
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.6
中晶新源
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -20
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -0.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -40
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 8.3
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 7
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -40
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 14.2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 10.9
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -40
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 18
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 14.5
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 10
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 7.2
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 25
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 18
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS (V)
- -60
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 50
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 37
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.35
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.15
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 0.98
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.9
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.6
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.7
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.4
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.8
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.45
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.5
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.2
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.4
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.2
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.25
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.7
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.5
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 1.6
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 3.5
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 2.9
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 4.4
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 3.6
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 3.8
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 3.2
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 3.3
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 2.7
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 2.9
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 2.3
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 4.4
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 3.7
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 4.5
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 3.7
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 4.2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 3.5
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 6.3
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 5.2
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 5.5
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 4.6
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.8
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 7.5
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 6.2
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 7.1
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 5.9
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 8.9
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 7.4
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 8
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 6.8
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 8.2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 6.8
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 9.8
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 8.1
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 9.2
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 7.7
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 1.05
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 0.9
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 3
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 10.6
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 8.8
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.7
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- -
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- -
中晶新源
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS (V)
- 100
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
- 129
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
- 108
- 阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
- 1.8
| 品牌 | 产品等级 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 中晶新源 | - | Trench | N | 60 | 2000 | 1500 | 1.6 | Yes | 320*310 | 290666 | |
| 中晶新源 | - | Trench | N | 60 | 2000 | 1500 | 1.6 | Yes | 320*310 | 290666 | |
| 中晶新源 | - | Trench | N | 100 | 6600 | 5100 | 1.7 | Yes | 320*310 | 290666 | |
| 中晶新源 | - | Trench | N | 60 | 2000 | 1500 | 1.2 | Yes | 320*310 | 290666 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -60 | 5900 | 3000 | -1.6 | Yes | 320*310 | 290666 | |
| 中晶新源 | - | SJ | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | Trench | N | 12 | - | - | 0.8 | Yes | 3050*1560 | 5789 | |
| 中晶新源 | - | Trench | N | 30 | 35 | 25 | 4 | Yes | 780*660 | 56127 | |
| 中晶新源 | - | Trench | N | 30 | 24 | 19 | 1.6 | No | 780*660 | 56127 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -100 | 40 | 30 | -1.8 | No | 2570*1735 | 6309 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -20 | - | - | -0.7 | No | 920*720 | 43516 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -30 | 45 | 37 | -0.8 | No | 920*720 | 43516 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -30 | 48 | 39 | -1.6 | No | 920*720 | 43516 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -30 | 55 | 45 | -1.5 | No | 780*660 | 56127 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -30 | 58 | 48 | -1.6 | Yes | 780*660 | 56126 | |
| 中晶新源 | - | Trench | P | -20 | - | - | -0.7 | Yes | 920*720 | 43516 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -40 | 8.3 | 7 | -1.8 | No | 2450*1450 | 7754 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -40 | 14.2 | 10.9 | -1.8 | No | 1800*1220 | 12492 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -40 | 18 | 14.5 | -1.8 | No | 1620*1050 | 16357 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -60 | 10 | 7.2 | -1.8 | No | 3300*2000 | 4275 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -60 | 25 | 18 | -1.8 | No | 2100*1500 | 8993 | |
| 中晶新源 | - | SGT | P | -60 | 50 | 37 | -1.8 | No | 1580*1000 | 17802 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.35 | 1.15 | 3 | No | 6300*4550 | 943 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.2 | 1 | 3 | No | 6600*5050 | 820 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.2 | 0.98 | 3 | No | 6600*5050 | 805 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.9 | 1.6 | 3 | No | 4680*4060 | 1426 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.7 | 1.4 | 3 | No | 6300*4300 | 989 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.8 | 1.45 | 3 | No | 5500*4100 | 1216 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.5 | 1.2 | 3 | No | 6600*5050 | 805 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.4 | 1.2 | 3 | No | 6300*4300 | 989 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.25 | 1 | 3 | No | 6600*5050 | 805 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.7 | 1.5 | 3 | No | 6300*4300 | 989 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 2 | 1.6 | 3 | No | 5500*4100 | 1216 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 3.5 | 2.9 | 3 | No | 3900*3550 | 2008 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 4.4 | 3.6 | 3 | No | 3850*2680 | 2694 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 3.8 | 3.2 | 1.7 | No | 3850*2680 | 2694 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 3.3 | 2.7 | 3 | No | 3970*3500 | 1974 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 2.9 | 2.3 | 3 | No | 3970*3500 | 1974 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 4.4 | 3.7 | 1.7 | No | 3300*2350 | 3605 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 4.5 | 3.7 | 3 | No | 3900*3550 | 2008 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 4.2 | 3.5 | 3 | No | 3500*2650 | 3006 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 6.3 | 5.2 | 3 | No | 3300*2350 | 3601 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 5.5 | 4.6 | 1.8 | No | 3300*2350 | 3601 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 7.5 | 6.2 | 3 | No | 3000*1800 | 5212 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 7.1 | 5.9 | 1.7 | No | 3000*1800 | 5212 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 8.9 | 7.4 | 3 | No | 2570*1735 | 6277 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 8 | 6.8 | 1.7 | No | 2570*1735 | 6277 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 8.2 | 6.8 | 1.7 | No | 2480*1620 | 7026 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 9.8 | 8.1 | 1.7 | No | 2430*1550 | 7499 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 9.2 | 7.7 | 1.7 | No | 2420*1460 | 8000 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 1.05 | 0.9 | 3 | No | 7000*7450 | 813 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 10.6 | 8.8 | 1.7 | No | 2430*1550 | 7499 | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | - | - | - | - | No | - | - | |
| 中晶新源 | - | SGT | N | 100 | 129 | 108 | 1.8 | No | 650*650 | 67952 |
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