参数选型

晶圆/裸片

支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师

晶圆/裸片(Wafer / Bare Die)是以晶圆或已切割裸芯片形态供货的功率 MOSFET,供客户自行封装、模块集成或混合集成(MCM/SiP)使用。涵盖 SGT、Trench、超结等硅基工艺,覆盖 8 吋与 12 吋线,参数含裸片尺寸、单片可切割 die 数、减薄厚度及主要电学特性。

  • 按工艺(SGT / Trench / 超结)与耐压选型,电学参数与对应封装成品一致
  • 裸片尺寸与单片 die 数用于评估晶圆利用率与成本
  • 减薄厚度影响热阻与后道封装工艺,需按封装方案确认
  • 晶圆 / 裸片供货的起订量与交期以原厂确认为准
深入了解:MOSFET 晶圆/裸片选型指南 →
181 / 181 条

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
2000
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1500
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.6

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
2000
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1500
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.6

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
6600
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
5100
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
2000
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1500
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.2

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
5900
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
3000
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.6

中晶新源

工艺
SJ
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
12
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
0.8

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
30
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
35
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
25
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
4

中晶新源

工艺
Trench
结构
N
漏源电压 VDS (V)
30
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
24
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
19
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.6

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
40
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
30
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-20
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-0.7

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-30
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
45
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
37
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-0.8

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-30
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
48
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
39
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.6

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-30
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
55
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
45
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.5

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-30
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
58
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
48
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.6

中晶新源

工艺
Trench
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-20
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-0.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-40
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
8.3
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
7
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-40
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
14.2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
10.9
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-40
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
18
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
14.5
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
10
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
7.2
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
25
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
18
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
P
漏源电压 VDS (V)
-60
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
50
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
37
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.35
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.15
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
0.98
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.9
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.6
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.7
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.4
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.8
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.45
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.5
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.2
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.4
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.2
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.25
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.7
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.5
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
1.6
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
3.5
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
2.9
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
4.4
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
3.6
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
3.8
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
3.2
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
3.3
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
2.7
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
2.9
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
2.3
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
4.4
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
3.7
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
4.5
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
3.7
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
4.2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
3.5
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
6.3
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
5.2
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
5.5
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
4.6
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.8

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
7.5
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
6.2
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
7.1
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
5.9
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
8.9
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
7.4
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
8
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
6.8
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
8.2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
6.8
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
9.8
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
8.1
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
9.2
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
7.7
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
1.05
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
0.9
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
3

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
10.6
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
8.8
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.7

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
-
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
-
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
-

中晶新源

工艺
SGT
结构
N
漏源电压 VDS (V)
100
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大 (mΩ)
129
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型 (mΩ)
108
阈值电压 VGS(th) 典型 (V)
1.8
品牌产品等级
2N7002K 产品图2N7002K中晶新源-TrenchN60200015001.6Yes320*310290666
2N7002KS 产品图2N7002KS中晶新源-TrenchN60200015001.6Yes320*310290666
BSS123K 产品图BSS123K中晶新源-TrenchN100660051001.7Yes320*310290666
BSS138K 产品图BSS138K中晶新源-TrenchN60200015001.2Yes320*310290666
BSS84K 产品图BSS84K中晶新源-TrenchP-6059003000-1.6Yes320*310290666
SMJ65R1K3ANAF 产品图SMJ65R1K3ANAFHOT中晶新源-SJN----No--
SMN1202AUAD 产品图SMN1202AUAD中晶新源-TrenchN12--0.8Yes3050*15605789
SMN3035AHAEK 产品图SMN3035AHAEK中晶新源-TrenchN3035254Yes780*66056127
SMN3404ALAE 产品图SMN3404ALAE中晶新源-TrenchN3024191.6No780*66056127
SMP10T40ALAE 产品图SMP10T40ALAE中晶新源-SGTP-1004030-1.8No2570*17356309
SMP2305AUAE 产品图SMP2305AUAE中晶新源-TrenchP-20---0.7No920*72043516
SMP3401AUAE 产品图SMP3401AUAE中晶新源-TrenchP-304537-0.8No920*72043516
SMP3407ALAE 产品图SMP3407ALAE中晶新源-TrenchP-304839-1.6No920*72043516
SMP3407CLAE 产品图SMP3407CLAE中晶新源-TrenchP-305545-1.5No780*66056127
SMP3407CLAEK 产品图SMP3407CLAEK中晶新源-TrenchP-305848-1.6Yes780*66056126
SMP3415AUAE 产品图SMP3415AUAE中晶新源-TrenchP-20---0.7Yes920*72043516
SMP4008ALAD 产品图SMP4008ALAD中晶新源-SGTP-408.37-1.8No2450*14507754
SMP4014ALAD 产品图SMP4014ALAD中晶新源-SGTP-4014.210.9-1.8No1800*122012492
SMP4020ALAD 产品图SMP4020ALAD中晶新源-SGTP-401814.5-1.8No1620*105016357
SMP6003ALPC 产品图SMP6003ALPC中晶新源-SGTP----No--
SMP6010ALAE 产品图SMP6010ALAE中晶新源-SGTP-60107.2-1.8No3300*20004275
SMP6025ALAE 产品图SMP6025ALAE中晶新源-SGTP-602518-1.8No2100*15008993
SMP6050ALAE 产品图SMP6050ALAE中晶新源-SGTP-605037-1.8No1580*100017802
SMT10T01AHAE 产品图SMT10T01AHAE中晶新源-SGTN1001.351.153No6300*4550943
SMT10T01BHAE 产品图SMT10T01BHAE中晶新源-SGTN1001.213No6600*5050820
SMT10T01BHAE-12 产品图SMT10T01BHAE-12HOT中晶新源-SGTN----No--
SMT10T01BHAF2 产品图SMT10T01BHAF2中晶新源-SGTN1001.20.983No6600*5050805
SMT10T01CHAF2 产品图SMT10T01CHAF2中晶新源-SGTN1001.91.63No4680*40601426
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SMT10T01EHAF 产品图SMT10T01EHAF中晶新源-SGTN1001.51.23No6600*5050805
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SMT10T02BHAF 产品图SMT10T02BHAF中晶新源-SGTN----No--
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SMT10T0SAHAF2 产品图SMT10T0SAHAF2中晶新源-SGTN1001.050.93No7000*7450813
SMT10T10ALAE 产品图SMT10T10ALAE中晶新源-SGTN10010.68.81.7No2430*15507499
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SMT10T130ALAE 产品图SMT10T130ALAE中晶新源-SGTN1001291081.8No650*65067952

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