公司简介
关于中晶新源
中晶新源（SineSemi）成立于 2017 年，总部位于上海临港新片区，是一家聚焦功率半导体、采用“虚拟 IDM”模式的整体方案供应商，注册资本 1 亿元（2025 年 7 月实缴到位）。战略股东为芯联集成（UNT，科创板 688469）与苏州固锝（002079）——前者是中国顶尖功率晶圆工厂（Si/SiC/GaN 均布局，6/8/12 英寸），后者是中国半导体分立器件制造首家 A 股上市公司。核心团队多来自 Diodes、NXP、Onsemi、TI、Vishay 等欧美大厂，CEO Robin Sun 曾任 Diodes 全球中高压 MOSFET 事业部总经理，首席器件与可靠性仿真专家为清华大学博士、国家万人计划青年拔尖人才，团队平均拥有 15～20 年功率器件研发、封装、工程与质量经验。公司自有晶圆测试车间，对车规产品实施 100% 测试筛选，SGT MOSFET 技术平台部分电压等级已对标并在个别指标上超越 Infineon，2025 年荣获“中国半导体分立器件最佳产品奖”等多项行业荣誉。
功率半导体虚拟 IDM，覆盖低中高压 MOSFET、超结、IGBT、SiC 的宽产品矩阵，面向汽车、AI 服务器电源、新能源、工业与人形机器人核心零部件市场。
产品布局
主要产品线
- 超结高压 MOSFET SJ-HV（600~800V）
超结（Super-Junction）结构高压 MOSFET，电压等级 600~800V，配合 TOLL/TOLT/半桥等先进封装提升功率密度。
- IGBT 分立器件与模块（600~1350V）
IGBT 单管与模块产品线，电压等级 600~1350V，面向工业变频、电机驱动等场景。
- SiC MOSFET / SiC SBD（650V/1200V）
碳化硅（SiC）MOSFET 与肖特基二极管，电压等级 650V/1200V，面向高频高效率电源与新能源应用。
- 栅极驱动 / LED 驱动 IC
栅极驱动 IC（隔离/非隔离，含车规双通道隔离驱动）与 LED 驱动 IC，配套自家功率器件形成驱动+开关的系统方案。
体系资质
认证 / 荣誉
- AEC-Q101 (SGS)
- IATF16949
- VDA6.3
- HTRB 2000h @175°C（超行业标准 1000h）
- 中国机器人检测认证联盟·人形机器人检测认证工作组成员（2024）
- TILVA 光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书（2024）
- 2025 中国半导体分立器件最佳产品奖
发展历程
中晶新源大事记
- 2017
公司成立于上海临港新片区
- 2024
加入中国机器人检测认证联盟人形机器人检测认证工作组；获 TILVA 光储充功率半导体产品认证证书；获维科杯2024中国机器人行业【核心零部件创新产品奖】
- 2025
注册资本 1 亿元实缴到位
- 2025
加入《中国汽车芯片联盟白名单》；荣获2025中国半导体分立器件最佳产品奖、CIAS 2025年度电动车/光储充领域功率半导体明星产品、2025年度影响力汽车芯片、中国（上海）“明日之星”、2025年最具投资潜力奖等荣誉
工程实力
核心技术优势
- SGT MOSFET 全平台（25～300V）对标 Infineon，30V/60V/100V/120V 等多个电压等级性能持平或优于对标产品
- 先进封装矩阵：PDFN5060 / PDFN5060-W（Wettable Flanks）/ PDFN5060-DSC（双面散热）/ TOLL / TOLT / Half-Bridge，推动小型化与高功率密度
- 车规质量体系：自有晶圆测试车间，100% 车规产品测试筛选，AEC-Q101（SGS 认证）+ HTRB 2000h@175°C（超行业标准 1000h）+ IATF16949 / VDA6.3
- 核心团队脱胎 Diodes / NXP / Onsemi / TI / Vishay 等欧美大厂，研发积淀 20 年以上、深耕汽车电子 10 年以上
- 专利布局 27 项（19 项发明 + 8 项实用新型，已授权 11 项），覆盖芯片、封装、集成化方案多维技术
目标市场
主要应用领域
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