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SiC 器件
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SiC（碳化硅）是宽禁带半导体材料，制成的 MOSFET 与肖特基二极管相比传统硅器件具有更低的导通损耗、更快的开关速度与更耐高温特性，适合高效率、高功率密度的电源与新能源应用。
- 导通电阻（Rdson）随温度上升幅度远小于硅基器件，需按最高结温核算实际损耗
- 开关速度快带来更高 dv/dt，需评估驱动与EMC设计的匹配性
- 反向恢复特性优于硅基器件，适合高频硬开关拓扑
- 成本仍高于同规格硅器件，需综合系统级效率收益评估性价比
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SiC（碳化硅）是宽禁带半导体材料，制成的 MOSFET 与肖特基二极管相比传统硅器件具有更低的导通损耗、更快的开关速度与更耐高温特性，适合高效率、高功率密度的电源与新能源应用。