参数选型

SiC MOSFET 单管

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翠展微 SiC MOSFET 单管为分立封装的碳化硅功率开关器件，聚焦 1200V 电压等级，适用于高效率电源、车载充电、新能源变流等对开关损耗与热性能要求较高的场合。

  • VDSS 额定电压需覆盖应用的最高工作电压及裕量
  • RDS(on) 直接决定导通损耗，需按满载电流核算发热
  • Rth(J-C) 结壳热阻反映散热能力，影响器件可承受的持续功耗
  • 封装形式需与 PCB 布局及散热方案匹配
深入了解：SiC MOSFET 单管选型指南 →
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GCV016MC120SGT1 产品图GCV016MC120SGT1

翠展微

漏源电压 VDS (V)
1200
导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
16
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.23
封装
-
GCV016MC120SGT1N 产品图GCV016MC120SGT1N

翠展微

漏源电压 VDS (V)
1200
导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
16
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-
封装
-
GCV045MC120SGT1 产品图GCV045MC120SGT1

翠展微

漏源电压 VDS (V)
1200
导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
45
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.38
封装
-
GCV045MC120SGT1N 产品图GCV045MC120SGT1N

翠展微

漏源电压 VDS (V)
1200
导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
45
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.38
封装
-
GCV060MC120SGT1N 产品图GCV060MC120SGT1N

翠展微

漏源电压 VDS (V)
1200
导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-
封装
-
GCV080MC120SGT1 产品图GCV080MC120SGT1

翠展微

漏源电压 VDS (V)
1200
导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
80
热阻 Rth(j-c) (K/W)
0.86
封装
-
品牌
GCV016MC120SGT1 产品图GCV016MC120SGT1翠展微1200160.23-
GCV016MC120SGT1N 产品图GCV016MC120SGT1N翠展微120016--
GCV045MC120SGT1 产品图GCV045MC120SGT1翠展微1200450.38-
GCV045MC120SGT1N 产品图GCV045MC120SGT1N翠展微1200450.38-
GCV060MC120SGT1N 产品图GCV060MC120SGT1N翠展微1200---
GCV080MC120SGT1 产品图GCV080MC120SGT1翠展微1200800.86-