公司动态与资讯
品牌与产品进展、行业相关资讯,第一时间在此更新。
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- 2026.1030MOSFET 晶圆还是封装成品:选型卡在交付形态时怎么判低压双N沟道MOSFET锁定系列后,常卡在买晶圆自封还是直接买成品。分野不在参数高低,而在封装能力与封装后测试分工。对照SYN8205三种形态,用四问决策与双阶段路径帮你判当前该走哪条路。
- 2026.1008功率模块封装怎么选:有底板还是无底板,先看散热路径功率模块电压电流对完之后,常卡在有底板还是无底板:别只盯结壳热阻那一行,先看散热路径有几层、安装平面与功率循环能不能扛住。用对照表和四问决策先判结构方向,再回品类页核对规格书。行业观察
- 2026.1002运放还是比较器:别只比参数表,先对齐板上条件运放和比较器把参数表对完之后,板上仍可能抖、慢或自激:别只盯手册典型值,先看过驱动、源阻抗与负载是否还落在测试条件里。用对照表和四问分清用途与验证路径,再回品类页按规格书筛选。行业观察
- 2026.0923中晶新源五款车规级 SGT 产品入编《2026 中国汽车芯片供给手册》《2026 中国汽车芯片供给手册》在 2026 集成电路(无锡)创新发展大会上发布,中晶新源五款 40V 车规级 SGT 产品入编,覆盖 EPS、BMS、水泵/油泵、座椅电机、电子门锁等车载场景。原厂动态
- 2026.0915中晶新源三款 SGT MOSFET 入围 2026 年度全球电子成就奖“年度功率半导体产品”2026 年度全球电子成就奖入围名单公布,中晶新源三款 SGT MOSFET 入围“年度功率半导体产品”:AI 服务器电源用 80V SMT8001AHP、数据中心 IBC 电源用 45V SMT4501ALRNSCG、关节电机驱动用 135V SMT13T02AHTL。原厂动态
- 2026.0831中晶新源 40V 车规级 PSGT MOSFET SMP4002ALPWQ 在头部车灯客户量产导入中晶新源 40V 车规级 PSGT MOSFET SMP4002ALPWQ 在国内头部车灯客户量产导入并获量产订单:典型导通电阻 1.9mΩ、栅极电荷 80nC、连续漏极电流 -190A,Wettable Flank 封装。原厂动态
- 2026.0831中晶新源 SGT MOSFET SMT4001AHP 获 2026 强芯榜单“市场先锋奖”2026 强芯榜单 8 月 20 日于南京 ICDIA 创芯大会发布,中晶新源 SGT MOSFET SMT4001AHP(40V / 1.2mΩ / 212A,PDFN5060-8L)获中国集成电路设计创新联盟“市场先锋奖”。原厂动态
- 2026.0826中晶新源发布 150V SGT MOSFET SMT15T02AHTL,面向无人机电调动力系统中晶新源推出 150V N 沟道 SGT MOSFET SMT15T02AHTL:TOLL 封装,导通电阻 2.0mΩ,连续电流 302A,面向大载重无人机电调动力系统,已在多个头部客户完成验证并批量出货。原厂动态
- 2026.0805AC/DC 反激控制器选型:分立方案与内置功率管集成方案AC/DC 反激控制器选分立方案还是集成功率管方案,分野不在参数表,而在栅极驱动回路复杂度、热保护响应精度与功率平台复用弹性上的取舍,这决定了选型该先看什么。行业观察
- 2026.0728同步整流控制器怎么选:别只比阈值表,先对齐拓扑与驱动时序同步整流把阈值表对完之后,样机仍可能轻载发烫或反向导通:别只盯阈值那一行,先看拓扑感知方式、CCM/DCM 与轻载窗口、驱动时序,再谈 MOSFET 配对窗口。用对照表和四问先判方向,再回同步整流品类页按规格书筛选。行业观察
- 2026.0723中晶新源推出 30V SGT MOSFET SMT300UALP / SMT300UALPS,面向 AI 电源架构中晶新源 30V SGT MOSFET SMT300UALP/SMT300UALPS 已量产:PDFN5060-8L,导通电阻 0.32mΩ/0.39mΩ,面向 AI 服务器电源 Hot Swap、ORing、BMS。原厂动态
- 2026.0721NFC 与 RFID 协议芯片选型:频段生态如何决定技术路线NFC 与 RFID 芯片选型的起点不是参数表,而是频段——不同频段绑定了不同的读取生态与协议族,选错频段意味着后期只能整体更换读取终端;标签芯片与读写器芯片也是两类不同的选型逻辑,不能用同一套标准衡量。行业观察
- 2026.0719栅极驱动要不要隔离:别只比耐压数字,先对齐系统边界栅极驱动把隔离耐压对完之后,样机仍可能误触发或边界不清:别只盯耐压那一行,先看安全分区、母线边界与开关陡度下的共模瞬态。用对照表和四问先判隔离方向,再回驱动品类页按规格书筛选。行业观察
- 2026.0715中晶新源发布 120V SGT MOSFET SMT12T02AHPWQ,采用 PDFN5060 封装中晶新源推出面向高功率密度电源的 120V N 沟道 SGT MOSFET SMT12T02AHPWQ,采用 PDFN5060-8L-W 封装,典型导通电阻 2.5mΩ,面向 AI 服务器、车载与工业电源。原厂动态
- 2026.0714欧盟通用充电器指令落地:USB-C 与 USB PD 成为快充设备的强制项欧盟通用充电器指令(Directive (EU) 2022/2380)已强制实施,USB-C 与 15W 以上快充的 USB PD 成为底线,私有协议须不干扰 USB PD;C/2024/2997 号通知厘清执行细节。原厂动态
- 2026.0710液晶运动模糊与黑帧插入(BFI):从背光时序看运动清晰度采样保持型液晶屏在高速运动画面下会因视觉暂留产生运动模糊,黑帧插入(BFI)通过背光时序在相邻帧间插入全黑帧来缓解。关键不在液晶本身,而在背光点亮时刻与液晶响应时间的对齐。原厂动态
- 2026.0707PD 快充协议芯片选型:协议兼容性与系统集成度的权衡PD 快充协议芯片选型的核心不只是“是否支持 PD”,而是协议版本与终端生态的覆盖面,以及协议控制与功率变换是分离还是集成——两个维度共同决定了标称功率能否真正送达设备。行业观察
- 2026.0630中晶新源推出面向 AI 服务器电源的 80V SGT MOSFET SMT8001AHP中晶新源发布 80V SGT MOSFET SMT8001AHP,采用长引脚 PDFN5060 封装,典型导通电阻低至 1.2mΩ,面向 AI 服务器与数据中心电源,另提供双面散热版本 SMT8001AHPDC3。原厂动态
- 2026.0630MiniLED 背光驱动选型:分区调光精度与系统成本的平衡从 Driver IC 与背光控制芯片(BCon)的分工出发,梳理 MiniLED 背光在调光精度、功耗、热设计与系统成本之间的工程权衡,帮助工程团队按应用场景做取舍。行业观察
- 2026.0623车规功率与驱动器件选型:认证等级之外的三个可靠性维度车规认证是功率与驱动器件进入汽车电子的入场券,但认证等级只是起点。工作温度范围、失效模式的可预测性与供应链的批次一致性,是工程与采购团队还需要重新核实的三个维度。行业观察
- 2026.0616国产功率器件替代的务实路径:从参数对标到批量验证功率器件国产化替代若只停留在参数表对齐,容易在批量生产阶段暴露问题。务实的路径是把替代拆成参数对标、小批量验证、批量导入三个递进阶段,工程与采购共同把关。行业观察
- 2026.0609IGBT 分立器件与模块化封装:系统集成度如何影响选型IGBT 分立单管、功率模块与 IPM 是同一芯片在不同集成层级上的封装组合,集成度越高开发效率越高、设计自由度越低,选型的关键是把这条取舍曲线对应到具体系统的功率、拓扑与开发节奏。行业观察
- 2026.0602SiC 器件走向主流:工程师需要重新权衡的三件事碳化硅(SiC)器件正从少数高端场景走向更广泛的电源与驱动应用。把 SiC 当成硅基器件的直接替换件是常见误区——效率与热设计、驱动电路、系统级成本核算,都需要重新权衡。行业观察
- 2026.0601中晶新源多芯集成微模块 SGT 获“2026 年度创新力汽车芯片”奖中晶新源多芯集成微模块 SGT MOSFET SMT4004AHPFWQ 在 2026 北京国际车展获“2026 年度创新力汽车芯片”奖,已通过 AEC-Q101 认证并向多家车企及 Tier1 批量供货。原厂动态
- 2026.0526SGT 还是超结 MOSFET:别只比导通电阻,先对齐电压与开关工况SGT 与超结把导通电阻对完之后,样机仍可能开关发烫或耐压吃紧:别只盯表上导通电阻,先对齐电压平台、开关频率与体二极管恢复是否还落在工艺窗口。用对照表和四问先判方向,再回 MOSFET 品类页按规格书筛选。行业观察
- 2026.0525中晶新源发布面向无人机动力的 100V SGT MOSFET SMT10T0SAHTL中晶新源推出 100V SGT MOSFET SMT10T0SAHTL,采用 TOLL 封装,典型导通电阻低至 0.85mΩ,连续漏极电流可达 514A,面向大载重物流无人机与农业植保机等动力系统。原厂动态
- 2026.0316中晶新源第三代中压 SGT 搭配 TOLT 顶部散热封装中晶新源推出第三代(G3)中压 100~150V SGT MOSFET,搭配 TOLT 顶部散热封装,将散热路径由 PCB 底部翻转至封装顶面。三相 BLDC 电机实测中,相同工况下芯片结温较 TOLL 封装低约 25℃。原厂动态
- 2026.0126中晶新源 SGT MOSFET SMT4501ALRNSCG 获 AI 服务器电源行业奖项世纪电源网第四届电源行业配套品牌颁奖晚会上,中晶新源 SGT MOSFET SMT4501ALRNSCG(45V / 1.0mΩ / 241A,DFN3333-8L-SCG 源极底置封装)获 AI 服务器电源行业奖项。原厂动态
- 2025.1124中晶新源具身机器人 SGT MOSFET 项目获第十届创客中国智能机器人创新创业大赛奖项中国机械工业联合会主办的“2025 中国机器人产业人才建设大会”11 月 10 日在上海召开,中晶新源凭借“高性能 SGT MOSFET 专为具身机器人应用设计”项目在第十届创客中国智能机器人创新创业大赛获奖,器件面向机器人关节电机驱动。原厂动态
- 2025.0902中晶新源线性 SGT MOSFET 面向热插拔与电池保护,强化 SOA 表现中晶新源推出面向热插拔与电池保护的线性 SGT MOSFET,SMT10T03DHP/DHSS/DHTS 均已量产,重点强化安全工作区(SOA),10ms 单脉冲 SOA 在 V_DS>30V 区间表现突出。原厂动态
- 2025.0807中晶新源推出 40V 车规级 PDFN5060 半桥封装 MOSFET SMT4004AHPHQ/ALPHQ中晶新源 40V 车规级 PDFN5060 半桥 MOSFET SMT4004AHPHQ/ALPHQ:AEC-Q101 认证、可提供 PPAP,导通电阻低至 3.6mΩ、最大电流 约 80A、结温 175℃,面向车身控制。原厂动态
- 2025.0612华源智信 HYASIC 加入突触半导体品牌矩阵突触半导体与华源智信(HYASIC)建立代理合作,代理其 MiniLED 背光驱动、PD 快充协议与 AC/DC 电源控制 IC 产品线。公司动态
- 2025.0511中晶新源 SineSemi 加入突触半导体品牌矩阵突触半导体与中晶新源(SineSemi)建立代理合作,代理其 SGT MOSFET、超结、IGBT、SiC 等功率半导体产品线。公司动态
- 2025.0430中晶新源车规级 MOSFET SMT4005AHPQ 获“2025 年度影响力汽车芯片”奖中晶新源车规级 MOSFET SMT4005AHPQ(40V / 3.9mΩ)获中国汽车芯片产业创新战略联盟与《中国电子报》编辑部颁发的“2025 年度影响力汽车芯片”奖。器件通过 SGS 的 AEC-Q101 认证,结温上限 175℃。原厂动态
- 2025.0427中晶新源获 CIAS2025 车规级芯片、光储充芯片优质产品双奖CIAS2025 期间,中晶新源 40V/3.9mΩ 车规级 MOSFET SMT4005AHPQ 获“车规级芯片优质产品奖”,650V/450A IGBT 光伏逆变模块 SS065N045FIA 获“光储充芯片优质产品奖”。原厂动态
- 2025.0412中晶新源 SMT10T02AHPDCQ 获“维科杯·OFweek 2024 中国机器人行业核心零部件创新产品奖”中晶新源双面散热 SGT MOSFET SMT10T02AHPDCQ(100V/2.0mΩ/209A)获“维科杯·OFweek 2024 中国机器人行业核心零部件创新产品奖”,4 月 10 日于深圳颁出,器件面向具身机器人关节驱动。原厂动态
- 2025.0112中晶新源面向无人机动力推出 30~150V MOSFET 产品组合与双面散热封装中晶新源面向无人机动力推出 30~150V MOSFET 产品组合,在低 Qg 前提下深度优化导通电阻,V_GS=10V 时 R_DS(ON) 约 0.43mΩ~3.4mΩ;并推出顶部直连散热器的双面散热封装,散热能力约为底部散热的三倍。原厂动态
- 2024.1222中晶新源推出 80V~150V 车规级 SGT MOSFET 产品组合,面向 48V 整车低压系统中晶新源面向 48V 汽车低压系统推出 80V~150V 车规级 SGT MOSFET 产品组合,覆盖 PDFN5060、TOLL 等 8 种封装;已量产型号均通过 AEC-Q101 认证,提供 PPAP 与 Spice Model。原厂动态
- 2024.1215中晶新源发布 120V TOLL 封装 SGT MOSFET SMT12T01AHTL,典型导通电阻 1.35mΩ中晶新源发布 120V N 沟道 SGT MOSFET SMT12T01AHTL:TOLL 封装,典型导通电阻 1.35mΩ,连续电流 393A,面向电动汽车、无人机、电池保护与通信电源等大电流应用,已经多家标杆客户验证并进入量产。原厂动态
- 2024.1129中晶新源应邀出席 2024 中国国际汽车电子高峰论坛并发表主题演讲2024 中国国际汽车电子高峰论坛 11 月 28 日在上海举行,中晶新源高级市场经理徐冬志发表车规芯片方案主题演讲,介绍 SMT4005、100V PDFN5060 与 40V~250V N-SGT 车规 MOSFET,并参加圆桌讨论。原厂动态
- 2024.1122中晶新源加入人形机器人检测认证工作组,并在 2024 中国机器人产业发展大会发表主题演讲11 月 18 日人形机器人检测认证工作组在上海成立,中晶新源总经理孙闫涛受聘为工作组专家;次日在苏州举行的 2024 中国机器人产业发展大会上,应用技术部经理黄传连以《先进 MOSFET 助力人形机器人行业高效高质量发展》为题发表演讲。原厂动态
- 2024.1115中晶新源获光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书2024 年 11 月 7 日至 8 日第二届新型电力系统场景下电气装备高质量发展论坛在上海举行,添唯认证(TILVA)向中晶新源颁发光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书,为该认证类别的首张证书,获证产品为 MOSFET。原厂动态
- 2024.1110中晶新源车规级 PDFN5060 半桥封装 MOSFET:安全冗余设计与汽车水泵、小功率电源应用案例中晶新源 40V 车规级 PDFN5060 半桥 MOSFET SMT4004AHPHQ/ALPHQ:AEC-Q101 认证、导通电阻 3.6mΩ、电流承载约 80A、结温 175℃,附汽车水泵与小功率电源应用案例及 RC 吸收网络要点。原厂动态
- 2024.1026展会回顾|中晶新源出席 2024 亚太半导体峰会暨博览会2024 亚太半导体峰会暨博览会 10 月 18 日在马来西亚槟城落幕。中晶新源应临港新片区管委会邀请参加“出海东南亚”拓展行动,发表主题演讲介绍产品布局与汽车产品组合,并展示光伏逆变 IGBT 及批量供货的模块 SS065N045FIA。原厂动态
- 2024.1026中晶新源 PDFN5060-8L-W 车规级封装:S 源极采用 Lead-fused 引脚设计中晶新源推出车规级 PDFN5060-8L-W 封装,S 源极采用 Lead-fused 引脚设计并加配可润湿侧壁;S 源极与 PCB 接触面积提升约 70%,最大封装电流由 100A 提升至 120A。原厂动态
- 2024.1018中晶新源车规级 SMT4005 系列 MOSFET,面向汽车水泵等 150W 以下三相 BLDC 电机驱动中晶新源 40V 车规级 SMT4005 系列:SMT4005AHPQ(3.9mΩ)与双通道 SMT4005AHPDQ(4.6mΩ)已通过 SGS AEC-Q101 认证并批量出货整车客户,面向水泵等 150W 以下三相 BLDC 电机。原厂动态
- 2024.1012中晶新源 30V MOSFET SMT3001 系列:PDFN3333-8L 封装典型导通电阻 0.99mΩ,面向同步整流与 BLDC 电机中晶新源 30V N 沟道 MOSFET SMT3001ALR:PDFN3333-8L 封装,典型导通电阻 0.99mΩ,面向同步整流与 BLDC 电机;同系列 SMT3001BLP 在 300W 双管正激同步整流实测效率 89.21%。原厂动态
- 2024.0801澳芯瑞能 OXRIpower 加入突触半导体品牌矩阵突触半导体与澳芯瑞能(OXRIpower)建立代理合作,代理其 MOSFET、IGBT/IPM 与 SiC 等功率半导体器件产品线。公司动态
- 2024.0528华源智信完成 C 轮融资,持续深耕数字电源管理芯片华源智信半导体(深圳)有限公司完成 C 轮融资,新增投资方包括碧鸿投资、安芯投资、华泰资管、亿宸资本等,老股东华登国际、基石资本持续跟投,资金投向 PD 快充与 MiniLED 背光显示等数字电源管理芯片方向。原厂动态
