2025 年 4 月 23 日至 24 日，CIAS2025——2025 第十三届新能源汽车电驱动创新技术发展大会举行。中晶新源在会上获得两项奖：40V/3.9mΩ 车规级 MOSFET SMT4005AHPQ 获“车规级芯片优质产品奖”，650V/450A IGBT 光伏逆变模块 SS065N045FIA 获“光储充芯片优质产品奖”。
CIAS2025 颁奖现场屏幕（屏幕标题为“2024-2025 电动车领域用功率半导体年度明星产品奖”），中晶新源 SMT4005AHPQ 在列，标注 40V 新一代 SGT 技术、PDFN5060-8L 封装。图片来源：中晶新源
SMT4005AHPQ：40V/3.9mΩ 车规级 MOSFET。 器件通过 SGS 的 AEC-Q101 认证。芯片采用 Polyimide 保护层并配合封装优化，针对热应力与离子污染做双重防护。SGT 工艺迭代使导通损耗与开关损耗同步下降，导通电阻较同类产品低 10%，FOM 值优 15%。器件支持 175℃ 高温运行，紧凑封装提高功率密度；安全设计包括 BV 冗余、雪崩测试与宽 SOA，并做了 EMI 优化。目标应用为新能源汽车及传统汽车的电子水泵、油泵、天窗、车窗、电动尾门、电动座椅与车载电源等。
CIAS2025 颁奖现场屏幕（屏幕标题为“2024-2025 光储充领域用功率半导体年度明星产品奖”），中晶新源 SS065N045FIA（650V/450A IGBT 光伏逆变模块）在列。图片来源：中晶新源
SS065N045FIA：650V/450A IGBT 光伏逆变模块。 模块采用中点钳位技术的三电平逆变拓扑，功率密度高；低电感设计降低关断电压尖峰，改善驱动性能与 EMI 特性。与同类竞品对比，损耗减少 7%，转换效率提升 0.13%，实测 BV 值提升 6.2%，安全裕量更宽。模块专为 120kW 功率等级光伏逆变器开发，已在标杆客户批量使用并完成验证。
两项奖的评选口径：车规级芯片优质产品奖表彰在关键技术上取得突破、填补行业空白或实现国产替代、助推汽车半导体产业自主化的企业；光储充芯片优质产品奖聚焦光储充领域核心芯片技术创新，以能效标准、市场表现及产业贡献为评选维度。
中晶新源以“用中国芯片驱动新能源革命”为使命，以“差异化与高附加值”为核心战略，深耕核心技术，并与上下游伙伴协同开拓新兴应用领域。
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