核心代理商

澳芯瑞能OXRIpower

垂直整合的功率半导体设计公司

成立2021总部山东省青岛市崂山区（研发中心：无锡）

公司简介

关于澳芯瑞能

青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司（OXRIpower）成立于 2021 年，总部位于青岛，并在无锡设有研发中心，专注功率半导体器件的设计、销售及系统技术服务。公司采用类 IDM 模式，股东海澳芯科为晶圆厂芯恩（青岛）的重要股东，与芯恩联合打磨工艺，开发对标 Infineon、Onsemi、IXYS 一线水准的功率器件，以系统方案为主线。核心团队在功率器件工艺、器件仿真、芯片设计与电机驱动应用领域拥有 20 余年经验。该公司现已被华源智信（HYASIC）收购，原独立官网已失效；具体收购信息以官方及工商登记为准。

市场定位

类 IDM 功率器件设计公司，产品覆盖 MOSFET、IGBT/IPM、SiC 与电源/驱动 IC，主打工业、家电、能源与电机驱动系统方案。

产品布局

主要产品线

MOSFET（Trench 20~100V / SGT 40~150V / Planar 200~3300V）
覆盖沟槽（Trench）、分离栅极沟槽（SGT）与平面（Planar）三类工艺的 MOSFET 产品线，电压跨度 20~3300V。
HS037N12A HT019N02A HT021P04T
IGBT 分立器件与模块（600/1200/1700V FS-IGBT）
场截止（FS）结构 IGBT 单管与模块，电压等级 600V/1200V/1700V。
OX2G15N1200AL OX2G25N1200AL OX2G40N1200AL
IPM 智能功率模块
智能功率模块（IPM），集成功率开关与驱动电路，面向变频家电与电机驱动系统。
SiC（600V SBD / 600V MOSFET）
碳化硅（SiC）肖特基二极管与 MOSFET，电压等级 600V。
Power IC / Driver IC
电源与驱动集成电路，配套功率器件形成系统级方案。

发展历程

澳芯瑞能大事记

2021
20V/30V/40V 系列 MOSFET 量产
2022
60V 系列 MOSFET 量产
2023
20V~40V Gen2 系列、60V/100V Gen2 系列、200V~3000V Planar MOS 系列量产
2024
100V/150V SGT Gen1 系列、650V&1200V FS-IGBT 系列、600V SiC SBD、600V/650V 高压超结系列量产
2025
20V/30V/40V Gen3 系列、200V SGT 系列、600V SiC MOSFET、700V 高压超结系列量产

工程实力

核心技术优势

MOSFET 采用独特深沟槽、小 pitch 设计技术，大幅降低 RSP；以 60V P 沟道产品为例，面积较同行缩小 20% 以上
IGBT 国内率先采用 VLD 结构设计 600V/1200V/1700V 产品，同比普通结构终端尺寸减少 25% 以上；采用 60μm 片厚背面光刻加工技术实现新一代逆导型 IGBT
类 IDM 模式：股东海澳芯科为晶圆厂芯恩（青岛）重要股东，与芯恩联合打磨工艺，产品对标 Infineon、Onsemi、IXYS 一线水准
质量管理体系涵盖可靠性设计、168H/1000H 可靠性实验、零缺陷理念教育、标准化失效分析流程（外观检查→电性能测试→X-RAY检查→超声波检测→开帽分析→SEM检查→磨球分析）

目标市场