HT019N02A 产品图

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HT019N02A

澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商

中低压 MOSFETSOT-23

参数规格

封装
SOT-23
结构
N
漏源电压 VDS
20 V
漏极电流 ID
6 A
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
12 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
14.5 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±12 V
工艺
Trench
导通电阻 RDS(ON)@2.5V 典型
15.8 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@2.5V 最大
19 mΩ
阈值电压 Vth
1 V

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OX1S7N02T导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型16 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大21 mΩOX1S6N03LT导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型23 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大32 mΩOX1S6N03T导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型28 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大40 mΩSMN3404ALM导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型26 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大36 mΩHT025N03A导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型19.3 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大23 mΩHT035N02E导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型210 mΩ导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大290 mΩ