产品详情

HS037N12A

澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商

中低压 MOSFET

参数规格

结构: N
漏源电压 VDS: 120 V
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大: 4.5 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型: 3.5 mΩ
栅源电压 VGS 最大: ±20 V
工艺: SGT
阈值电压 Vth: 3 V

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