产品详情
HT021P04T
澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商
参数规格
- 封装
- PDFN3×3-8L
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS
- -40 V
- 漏极电流 ID
- -34 A
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 13.9 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 10.7 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 14 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 18.5 mΩ
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 工艺
- Trench
- 阈值电压 Vth
- -1.7 V
不确定怎么选？阅读《中低压 MOSFET 选型指南》 →