中晶新源面向无人机动力推出 30~150V MOSFET 产品组合与双面散热封装

围绕无人机动力系统对高功率密度、低损耗与快速开关的要求，中晶新源推出面向该场景的 30~150V MOSFET 产品组合。

该组合在保持低栅极电荷（Q_g）的前提下对导通电阻做了深度优化：V_GS=10V 时 R_DS(ON) 约 0.43mΩ~3.4mΩ、FOM 约 48~330，可按不同功率档位对应选型。中晶新源同时推出新的双面散热封装：封装顶部以更直接的路径连接散热器，散热能力约为底部散热方案的三倍，电流承载能力随之上探。

双面散热封装（顶部金属散热面）。图片来源：中晶新源

该系列中的 100V PDFN5060-8L 双面散热产品，R_DS(ON) 低于 2.0mΩ。栅极 RC 配比优化与烧机测试数据显示，器件在开关振铃抑制与温升控制上表现稳定，实测壳温约 41.3℃。

开关波形与红外测温测试数据（壳温约 41.3℃）。图片来源：中晶新源

无人机动力选型按功率档位对应该组合；要曲线原图或样品，提交型号咨询。

来源：中晶新源产品新闻 · www.sinesemi.com/cpxw/3732.html