中晶新源发布 120V SGT MOSFET SMT12T02AHPWQ，采用 PDFN5060 封装

中晶新源发布面向高功率密度电源的 120V N 沟道 SGT MOSFET——SMT12T02AHPWQ，采用 PDFN5060-8L-W 封装。

该器件在 V_GS=10V 条件下典型导通电阻低至 2.5mΩ；T_C=25℃ 时连续漏极电流可达 166A，最大功率耗散 176W；栅极电荷（Q_g）典型值约 63nC，在导通损耗与开关性能之间做了平衡取舍。封装采用可润湿侧壁（Wettable Flank）工艺、支持 AOI 自动检测，属车规级封装设计并通过可靠性验证。

SMT12T02AHPWQ，PDFN5060-8L-W 封装。图片来源：中晶新源

该型号已完成标杆客户验证并进入量产，目标应用覆盖 AI 服务器电源、车载电源、通信电源与工业设备电源等高功率密度场景。这一系列的选型比对，可在站内按 120V 电压档筛选；样品支持走型号咨询。

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