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中晶新源具身机器人 SGT MOSFET 项目获第十届创客中国智能机器人创新创业大赛奖项

2025 年 11 月 10 日,中国机械工业联合会主办的“2025 中国机器人产业人才建设大会”在上海召开。中晶新源(上海)半导体有限公司凭借“高性能 SGT MOSFET 专为具身机器人应用设计”项目,在“第十届创客中国智能机器人创新创业大赛”中获奖。

2025 中国机器人产业人才建设大会现场

大会现场。图片来源:中晶新源

中晶新源聚焦中低压 SGT 技术,重点布局人形机器人、AI 服务器、低空经济、新能源等应用领域,相关 SGT 产品已通过多家标杆客户验证并实现规模量产。

获奖项目面向具身机器人关节电机的高精度驱动。这组 SGT MOSFET 围绕能效损耗、并联兼容性、抗冲击可靠性三个维度做针对性设计,落在两种封装形态上:

  • PDFN5060:紧凑尺寸下实现双面散热,缓解关节电机的热堆积、降低损耗,提升高负载工况下的可靠性与使用寿命,面向散热要求高的关节动力系统。
  • TOLL:大功率封装,客户以两层叠层设计适配多电机串联的大功率场景,优化空间布局,同时保障信号传输稳定、减少电磁干扰。

人形机器人各关节电机与 DC/DC 电源位置对应的中晶新源 SGT MOSFET 型号

人形机器人关节电机与 DC/DC 电源位置对应的 SGT MOSFET 选型示意。图片来源:中晶新源

器件层面,中晶新源的 IDOS 专利技术着眼于综合动静态特性(FOM)的提升,具体体现在三处:

  • 低损耗与并联兼容:低 RDS(ON) 与低导通/开关损耗提升系统效率与功率密度;VGS(th) 分档管理配合并联均流特性,便于多颗器件并联,降低系统成本。
  • 可靠性与鲁棒性:宽 SOA(安全工作区)设计,应对电机“堵转”等极端工况,抗冲击能力更强。
  • 易于设计:加强版内生 RC snubber 电路降低电压尖峰、优化 EMI;线性化的 Crss 米勒特性增强抗干扰能力。

下一步,中晶新源将持续投入高性能功率芯片技术并推动产品迭代,同时与产业链合作伙伴协同,以更完整的产品矩阵与方案响应人形机器人电机应用的需求。

评估 PDFN5060 或 TOLL 封装 SGT 器件用于机器人关节电机驱动时,把关节位置、母线电压与电流档位一并提供,我们的工程师会对接原厂给出选型建议。

来源:中晶新源公司新闻 · www.sinesemi.com/gsxw/4072.html

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