世纪电源网主办的“第四届电源行业配套品牌颁奖晚会”在深圳举行，中晶新源面向高功率密度应用的 SGT MOSFET——SMT4501ALRNSCG（45V / 1.0mΩ / 241A）在 AI 服务器电源行业方向获奖。
该器件的特点在封装。DFN3333-8L-SCG 采用源极底置＋中心栅极（Source Down + Center-Gate）结构：芯片倒装（Flip-chip）装配，源极电位直接落在 PCB 散热焊盘上，配合双面散热设计（Rtjic 低至 0.645℃/W），热阻与散热效率都优于传统漏极底置方案；中心栅极布局便于多管并联，动态寄生参数低，可工作在 1MHz 以上。加上 1.0mΩ 的导通电阻，在 PCB 空间利用率与功率密度上均留有明确余量。
获奖证牌与产品渲染图。图片来源：中晶新源
SMT4501ALRNSCG 及同封装料号的样品，走型号咨询。
来源：中晶新源公司新闻 · www.sinesemi.com/gsxw/4175.html