针对高功率密度设计中封装散热成为瓶颈的问题，中晶新源推出第三代（G3）中压 100~150V SGT MOSFET，并搭配 TOLT（TO-Leaded Top Side Cooling）顶部散热封装。
TOLT 封装的思路是把主要散热路径由传统的 PCB 底部翻转到封装顶面：通过顶部金属散热区配合导热界面材料（TIM）直接连接系统散热器，让热量以更短路径导出。鸥翼形引脚则有助于提升功率循环能力与板级抗振性能。
TOLT 封装的顶视、底视与内部结构。图片来源：中晶新源
TOLT 顶部散热路径示意。图片来源：中晶新源
三相 BLDC 电机实测对比（环境温度 30℃、相电流 50A 有效值）：相同工况下 TOLT 封装芯片结温较 TOLL 封装约低 25℃，热阻由约 2.08℃/W 降至约 1.36℃/W。芯片层面，G3 相较 G1 同类产品的栅极电荷（Qg）约降低 10%、Qgd 约降低 34%，封装寄生电感约 2nH。该系列已在农业植保机、大功率工业电源、无人机动力系统等场景批量出货，另可覆盖 5G/6G 通信电源、车载 OBC、服务器热插拔保护、BMS 与轻型电动车驱动等应用。TOLT 顶部散热方案是否适配现有散热器结构，可把工况提交到型号咨询，由工程师评估。
来源：中晶新源产品新闻 · www.sinesemi.com/cpxw/4187.html