中晶新源推出一系列融合沟槽与平面技术的线性 SGT MOSFET，面向热插拔与电池保护等对瞬态抗冲击能力要求较高的场景，SMT10T03DHP、SMT10T03DHSS、SMT10T03DHTS 均已量产。
该系列以安全工作区（SOA）为设计重点，10ms 单脉冲 SOA 在 VDS>30V 区间表现突出，适配热插拔、电机、BMS 这类高压 SOA 严苛场景。选型示例：系统输入 48V、要求 8ms 内把输出电流限制在 2A 以内时，直接对照器件的 10ms SOA 曲线即可判断。
线性 SGT MOSFET 安全工作区（SOA）曲线。图片来源：中晶新源
上述量产型号分别对应 PDFN5060-8L、TO220-3L、TO263-3L 封装。中晶新源已构建 40V、100V 线性 SGT MOSFET 矩阵并搭配多种封装，覆盖服务器电源、通信电源、汽车电控与电池保护等场景。
已量产线性 SGT MOSFET 型号与主要参数。图片来源：中晶新源
热插拔与电池保护的选型，先拿上表量产型号对 10ms SOA 曲线；曲线原图与样品走型号咨询。
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