8 月 20 日，2026 强芯榜单在南京 ICDIA 创芯大会期间发布。中晶新源自主研发的 N 沟道 SGT MOSFET——SMT4001AHP 获“市场先锋奖”。
2026 中国强芯评选由中国集成电路设计创新联盟组织开展，遴选具有技术竞争力和应用价值的国产芯片；其中“市场先锋奖”面向在芯片技术或应用上取得重大突破、市场占有率领先、客户认可度高、规模化应用成效显著的产品。
ICDIA 2026 颁奖现场的“市场先锋奖”奖杯。图片来源：中晶新源
SMT4001AHP 是 40V N 沟道 SGT MOSFET，PDFN5060-8L 封装：导通电阻典型值 1.2mΩ，25℃ 下连续电流 212A。芯片采用安全冗余设计，具备汽车级安全与“防炸机”能力，并把中晶新源的 IDOS SGT 专利技术与高功率、高散热封装结合在一颗料上。1.2mΩ 的 RDS(ON) 配合低 Qg，导通损耗与开关损耗同步压低；宽 SOA 让器件能承受电机堵转、急停、加速、过载时形成的电应力冲击；低 Crss/Ciss 比例有利于 EMI 控制。212A 的电流能力也为热管理设计留出裕量，缓解大功率工况下的温升压力。
SMT4001AHP 核心参数。图片来源：中晶新源
这颗料针对电机应用做了参数特调，以贴合细分场景的参数配比降低终端调试难度。目前 SMT4001AHP 已在多个应用领域大规模出货，并通过龙头/标杆客户的严苛验证，中晶新源将其列为 Hero 产品。下一步，中晶新源将持续投入新一代 SGT 核心技术，加速产品迭代。
SMT4001AHP 的参数可在站内按型号检索；电机驱动方向的替代评估与样品申请，通过型号咨询提出。
来源：中晶新源公司新闻 · www.sinesemi.com/gsxw/4270.html