2024 年 11 月 7 日至 8 日，第二届新型电力系统场景下电气装备高质量发展论坛在上海举行。论坛由中国机械工业联合会指导、中国电器工业协会支持，上海电器科学研究所（集团）有限公司与上海电科院技术有限公司主办。
论坛期间，上电科集团旗下认证品牌上海添唯认证技术有限公司（TILVA）向中晶新源（上海）半导体有限公司颁发光储充电能转换装置用功率半导体器件产品认证证书。这是该认证类别颁出的首张证书，获证产品为功率半导体器件（MOSFET）。
添唯与电气装备企业认证证书获证代表名单，中晶新源的获证产品为功率半导体器件（MOSFET）。图片来源：中晶新源
认证包含对器件电气性能、热性能与质量可靠性的技术评估和测试，结论是中晶新源的功率器件符合光储充电能转换装置对功率半导体的技术要求与质量标准。
中晶新源光储充电能转换 MOSFET 与 TILVA 颁发的产品认证证书。图片来源：中晶新源
中晶新源以“用中国芯片推动新能源绿色革命”为使命，面向光储充行业提供高压 SJ MOSFET、SGT MOSFET 与 IGBT 模块三条产品线，设计要点如下：
高压 SJ MOSFET
- 高冗余芯片设计，增强抗雪崩能力与短路电流能力；
- 优化体二极管，增强 dv/dt 能力，降低 Qrr 与电压尖峰；
- 优化 Qg 与 Crss/Ciss 比值，降低开关损耗，提升器件抗干扰能力；
- 深沟槽与多层外延工艺双向布局，支持多种应用技术需求。
SGT MOSFET
- 以 RDS(ON)×Qg 的 FOM 值为核心优化指标；
- 175℃ 高结温，低功率损耗、低器件温升，提高系统效率；
- 高耐压冗余与高安全冗余设计；
- Vth 分档管理，保证器件参数一致性，便于大功率多管并联；
- 优化 EAS 与 SOA 抗短路能力，提高电池保护电路的安全性。
IGBT 模块
- 采用中点钳位技术的三电平逆变模块，功率密度高；
- 采用大规格晶圆，减少并联数量，提高均流一致性与模块可靠性；
- 低电感布局，减小关断尖峰，便于驱动与 EMI 设计；
- 与进口竞品对比：损耗减小 7%，转换效率提升 0.13%，实测 BV 值提升 6.2%，安全裕量更宽。
中晶新源下一阶段的方向是聚焦“双碳”趋势，坚持技术创新与高品质，持续耕耘“核心技术”与“长期价值”，为中国新能源产业的可持续发展提供功率器件支撑。
来源：中晶新源公司新闻 · www.sinesemi.com/gsxw/3753.html