围绕 AI 服务器与数据中心电源对效率和功率密度的要求，中晶新源发布了 80V SGT MOSFET——SMT8001AHP。
该器件采用长引脚设计，在 PDFN5060 紧凑封装内实现低至 1.2mΩ 的典型导通电阻，并通过器件结构优化降低了寄生电容与栅极电荷，以改善高频开关下的动态响应与驱动效率。中晶新源同时推出双面散热版本 SMT8001AHPDC3，在延续静态与动态性能的基础上进一步强化热管理，适配更紧凑空间内的高功率输出。
SMT8001AHP 系列封装。图片来源：中晶新源
应用上，该系列面向 LLC 谐振与同步整流架构、数据中心 DC-DC 电源模块等场景，后续还规划了更小尺寸的 DFN3333 封装以适配紧凑电源砖设计。SMT8001AHP 与 SMT8001AHPDC3 均已开放样品申请，样品与选型可通过型号咨询对接我们的工程师。
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