中晶新源推出 30V N 沟道 MOSFET SMT3001ALR，采用薄小型 PDFN3333-8L 封装，VGS=10V 时典型 RDS(ON) 0.99mΩ，主要应用是开关电源同步整流与 BLDC 电机驱动。同系列的 SMT3001BLP 为 PDFN5060-8L 封装，典型 RDS(ON) 1.0mΩ。
两颗器件的主要参数：SMT3001ALR 连续电流 139A，典型 VGS(th) 1.7V，Ciss 2,978pF、Coss 2,050pF、Crss 160pF，典型 Qg 48nC，FOM 48；SMT3001BLP 连续电流 209A，典型 VGS(th) 1.6V，Ciss 2,854pF、Coss 1,839pF、Crss 118pF，典型 Qg 43nC，FOM 43。（参数为该文发布时口径，现行值以产品页为准）
SMT3001ALR 与 SMT3001BLP 主要参数表。图片来源：中晶新源
同类产品对比：PDFN3333-8L 封装中，SMT3001ALR 的典型导通电阻 0.99mΩ 对比友商产品的 1.75mΩ，最高低 43.4%；PDFN5060-8L 封装中，SMT3001BLP 的 RDS(ON)×Qg（FOMg，1.0mΩ×43nC）比对比对象（1.3mΩ×46.1nC）低 28.3%。导通电阻下降对应的是导通损耗降低、输出功率提升与并联管数减少，FOMg 改善则对应更低的开关损耗与功率耗散。中晶新源同时提供同步整流电路与 BLDC 电机驱动电路两套参考电路。
应用验证以一台双管正激屏显电源展开：输入交流 220V，开关频率 100kHz，输出直流 5V/60A、300W，次级同步整流分别装 SMT3001BLP 与一款友商同类器件做同平台对比。不加散热片、连续测试 5 分钟时，SMT3001BLP 输出 5.06V/60.10A（303.99W），输入功率 341.12W，效率 89.11%，裸板 MOS 温度 155.9℃；友商器件效率 88.53%，MOS 温度 161.5℃。加装散热片、连续测试 30 分钟时，SMT3001BLP 输出 5.06V/60.78A（303.9W），输入功率 340.66W，效率 89.21%；友商器件效率 88.21%。
对比结论：相比传统二极管整流，MOSFET 同步整流降低了功率损耗，在散热条件一般的情况下该电源效率接近 90%；同等测试条件下，SMT3001BLP 方案的系统效率更高、器件温升更低。原因在于高频开关电源的次级同步整流 MOSFET 具备较低的正向导通电阻 RDS(ON)、体二极管反向恢复电荷 Qrr、体二极管正向导通压降 VSD 与输出电容 Coss，开关损耗与导通损耗随之下降。
截至该文发布，SMT3001 系列 30V 产品线覆盖 PDFN5060-8L 与 PDFN3333-8L 两种封装：SMT300SALP（PDFN5060-8L，0.57mΩ，330A）、SMT3001ALP（PDFN5060-8L，0.99mΩ，207A）、SMT3001ALR（PDFN3333-8L，0.99mΩ，139A）、SMT3001BLP（PDFN5060-8L，1.00mΩ，209A）、SMT3001BLR（PDFN3333-8L，1.05mΩ，140A）、SMT3001CLP（PDFN5060-8L，1.30mΩ，181A）、SMT3001CLR（PDFN3333-8L，1.50mΩ，119A）与 SMT3001DLP（PDFN5060-8L，1.40mΩ，180A）。SMT3001BLP、SMT300SALP 与 SMT3001ALR 的规格书已在中晶新源官网公开。
SMT3001 系列 30V MOSFET 型号表（2024 年 10 月）。图片来源：中晶新源
中晶新源同时给出了 30V/PDFN3333-8L 紧凑封装、高功率密度系列的下一步目标：典型 RDS(ON) 降到 0.75mΩ，在现有 0.99mΩ 的基础上再优化 25%。
来源：中晶新源产品新闻 · www.sinesemi.com/cpxw/3738.html