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中晶新源三款 SGT MOSFET 入围 2026 年度全球电子成就奖“年度功率半导体产品”

2026 年度全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)入围名单公布,中晶新源三款产品入围“年度功率半导体产品”。该奖项由《电子工程专辑》主办,覆盖半导体产业链,评选范围横跨企业、管理者与技术产品三个维度。

入围的三颗料分别对应三类高功率密度场景:面向 AI 服务器电源的 80V SGT SMT8001AHP、用于数据中心 IBC 砖块电源的 45V 高频 SGT SMT4501ALRNSCG,以及适配具身智能大功率关节电机的 135V TOLL 封装 SGT SMT13T02AHTL

2026 年度全球电子成就奖

2026 年度全球电子成就奖宣传图,颁奖盛典定于 2026 年 12 月 9 日在深圳举行。图片来源:中晶新源

SMT8001AHP 采用微型 PDFN5060 贴片封装,导通电阻 1.2mΩ。中晶新源对效率、动态性能与热裕量做了系统性均衡优化,该器件已通过多个头部电源客户验证并进入规模化量产。

80V SGT MOSFET SMT8001AHP,80V 电压平台、1.2mΩ 导通电阻、双面散热

SMT8001AHP 面向 AI 服务器电源的原厂宣传图。图片来源:中晶新源

SMT4501ALRNSCG 采用 DFN3333-8L-SCG 双面散热、源极底置封装。相较传统封装,源极底置在散热、动态性能与效率三项上都有改善,对应数据中心 IBC 砖块电源的功率密度要求。

SMT13T02AHTL 是中晶新源最新一代 135V N 沟道 SGT,TOLL 高热效贴片封装,导通电阻低至 1.70mΩ,栅极电荷 114nC,结温上限 175℃。器件基于 IDOS 专利芯片技术,围绕四足机器人(机器狗)关节电机驱动做器件结构优化:宽 SOA 与鲁棒性用于承受奔跑、跳跃、急停及复杂地形下关节电机的大电流冲击与动态负载变化;低寄生电感与低 Qrr 支持更高开关频率,压低电机硬换流过程中的开关损耗、电压尖峰与电应力;低 FOM(RDS(ON)×Qg)降低驱动系统功耗,对移动机器人的电池续航有利。

135V TOLL 封装 SGT MOSFET SMT13T02AHTL,1.7mΩ 导通电阻、114nC 栅极电荷、175℃ 结温

SMT13T02AHTL 原厂宣传图,应用方向包括储能系统、高端电摩、机器狗与人形机器人。图片来源:中晶新源

中晶新源的产品布局面向 AI 电源、无人机电调、机器人、四足机器狗、绿电储能与汽车电子等市场展开。三颗入围器件的完整参数可在站内按型号检索;AI 服务器电源、数据中心 IBC 与关节电机驱动三个方向的选型比对,在型号咨询中注明母线电压与峰值电流即可。

来源:中晶新源公司新闻 · www.sinesemi.com/gsxw/4283.html

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