中晶新源基于新一代 SGT 技术平台推出两款 30V N 沟道 MOSFET——SMT300UALP 与 SMT300UALPS，采用紧凑型 PDFN5060-8L 封装，面向 AI 服务器电源 IBC-LV、电池管理（BMS）与高功率密度 DC-DC 转换架构中的 Hot Swap、ORing 关键应用。
两款器件各有侧重。SMT300UALP 导通电阻低至 0.32mΩ，主打超低导通损耗，动态参数与开关特性同步优化，直接服务于电源转换效率；SMT300UALPS 在 0.39mΩ 的基础上强化安全工作区（SOA）与单脉冲雪崩电流能力，在低损耗与高瞬态可靠性之间取平衡，给 Hot Swap 与 ORing 设计留出更大裕量。
30V SGT MOSFET 原厂宣传图。图片来源：中晶新源
该系列已完成海内外客户验证并进入量产。SMT300UALP / SMT300UALPS 的样品申请与 Hot Swap、ORing 场景的选型比对，可提交型号咨询。
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