SMT300UALP 产品图

产品详情

SMT300UALP

中晶新源 SineSemi核心代理商

中低压 MOSFETPDFN5060-8L

参数规格

封装
PDFN5060-8L
结构
N
漏源电压 VDS
30 V
漏极电流 ID
502 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
0.39 mΩ
车规 (Y/N)
N
阈值电压 VGS(th) 典型
1.6 V
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
0.32 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
0.45 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
0.55 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
结温 Tj
150 °C
雪崩能量 EAS 最大
2190 mJ
输入电容 Ciss 典型
7656 pF
输出电容 Coss 典型
5460 pF
反向传输电容 Crss 典型
227 pF
总栅极电荷 Qg 典型
148 nC
ESD
No
最小包装量
5000 pcs
最小订购量
5000 pcs
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Y
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