参数选型

SiC SBD

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中晶新源

车规 (Y/N): N
封装: TO252-2L
结温 Tj (°C): 175
反向重复峰值电压 VRRM (V): 650
正向电流 IF (A): 10
电容电荷 Qc 典型 (nC): 28

中晶新源

车规 (Y/N): N
封装: TO252-2L
结温 Tj (°C): 175
反向重复峰值电压 VRRM (V): 650
正向电流 IF (A): 4
电容电荷 Qc 典型 (nC): 9.5

中晶新源

车规 (Y/N): N
封装: TO252-2L
结温 Tj (°C): 175
反向重复峰值电压 VRRM (V): 650
正向电流 IF (A): 6
电容电荷 Qc 典型 (nC): 17

中晶新源

车规 (Y/N): N
封装: TO252-2L
结温 Tj (°C): 175
反向重复峰值电压 VRRM (V): 650
正向电流 IF (A): 8
电容电荷 Qc 典型 (nC): 22

	品牌
SCD10A65BU2	中晶新源	N	TO252-2L	175	650	10	28	550	7	2500	25000
SCD4A65BU2	中晶新源	N	TO252-2L	175	650	4	9.5	185	2.4	2500	25000
SCD6A65BU2	中晶新源	N	TO252-2L	175	650	6	17	332	4.3	2500	25000
SCD8A65BU2	中晶新源	N	TO252-2L	175	650	8	22	440	5.8	2500	25000