参数选型

SiC MOSFET

支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师

应用场景

SiC MOSFET 是基于碳化硅材料的功率开关器件,相比硅基超结 MOSFET 具备更低导通损耗与更快开关速度,适合高效率、高开关频率的电源与新能源变流应用。

  • Rdson 随温度上升的幅度显著小于硅器件,高温工况下优势更明显
  • 高 dv/dt 开关特性对驱动电路的抗干扰能力与PCB布局提出更高要求
  • 体二极管反向恢复电荷(Qrr)小,适合高频硬开关拓扑
  • 需结合系统级效率与成本收益评估相对硅基方案的性价比
深入了解:SiC MOSFET 选型指南 →
23 / 23 条

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L Notch
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
1200
漏极电流 ID (A)
129

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
1200
漏极电流 ID (A)
97

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
1200
漏极电流 ID (A)
74

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L Notch
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
1200
漏极电流 ID (A)
62

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L Notch
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
1200
漏极电流 ID (A)
48

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L Notch
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
1200
漏极电流 ID (A)
32

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
S2PAK-7R
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
129

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TOLL
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
134

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO220F-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
9

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
PDFN5060-8L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
10

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO252-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
12.5

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TOLL
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
84

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
75

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO220F-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
6

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
PDFN5060-8L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
6.5

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO252-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
7.5

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TOLL
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
50

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO247-4L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
650
漏极电流 ID (A)
44

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO220F-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
800
漏极电流 ID (A)
25

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO252-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
800
漏极电流 ID (A)
25

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO220F-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
800
漏极电流 ID (A)
9

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO252-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
800
漏极电流 ID (A)
9

中晶新源

车规 (Y/N)
N
封装
TO220F-3L
结构
N
结温 Tj (°C)
175
漏源电压 VDS (V)
800
漏极电流 ID (A)
29
品牌
SCMP120R16AY4N 产品图SCMP120R16AY4N中晶新源NTO247-4L NotchN1751200129-10/+2231622
SCMP120R21AY4 产品图SCMP120R21AY4中晶新源NTO247-4LN175120097-10/+2232129.4
SCMP120R31AY4 产品图SCMP120R31AY4中晶新源NTO247-4LN175120074-10/+223.23145
SCMP120R40AY4N 产品图SCMP120R40AY4N中晶新源NTO247-4L NotchN175120062-10/+2234052
SCMP120R60AY4N 产品图SCMP120R60AY4N中晶新源NTO247-4L NotchN175120048-10/+2236084
SCMP120R80AY4N 产品图SCMP120R80AY4N中晶新源NTO247-4L NotchN175120032-10/+22380108
SCMP65R15AT7LB 产品图SCMP65R15AT7LB中晶新源NS2PAK-7RN175650129-10/+222.81521
SCMP65R15ATLB 产品图SCMP65R15ATLB中晶新源NTOLLN175650134-10/+222.81521
SCMP65R190BF 产品图SCMP65R190BF中晶新源NTO220F-3LN1756509-10/+223.2190240
SCMP65R190BP 产品图SCMP65R190BP中晶新源NPDFN5060-8LN17565010-10/+223.2190240
SCMP65R190BU 产品图SCMP65R190BU中晶新源NTO252-3LN17565012.5-10/+223.2190240
SCMP65R27ATL 产品图SCMP65R27ATL中晶新源NTOLLN17565084-10/+222.82738
SCMP65R27AY4 产品图SCMP65R27AY4中晶新源NTO247-4LN17565075-10/+222.82738
SCMP65R390BF 产品图SCMP65R390BF中晶新源NTO220F-3LN1756506-10/+223.2390470
SCMP65R390BP 产品图SCMP65R390BP中晶新源NPDFN5060-8LN1756506.5-10/+223.2390470
SCMP65R390BU 产品图SCMP65R390BU中晶新源NTO252-3LN1756507.5-10/+223.2390470
SCMP65R45ATL 产品图SCMP65R45ATL中晶新源NTOLLN17565050-10/+222.84563
SCMP65R45AY4 产品图SCMP65R45AY4中晶新源NTO247-4LN17565044-10/+222.84563
SCMP80R130BF 产品图SCMP80R130BF中晶新源NTO220F-3LN17580025-10/+223.2125150
SCMP80R130BU 产品图SCMP80R130BU中晶新源NTO252-3LN17580025-10/+223.2125150
SCMP80R390BF 产品图SCMP80R390BF中晶新源NTO220F-3LN1758009-10/+223.4390450
SCMP80R390BU 产品图SCMP80R390BU中晶新源NTO252-3LN1758009-10/+223.4390450
SCMP80R95BF 产品图SCMP80R95BF中晶新源NTO220F-3LN17580029-10/+223.295115