工业控制

48V 母线常规上限约 54V，抛载或感性关断过压可到 70V（LV148 / ISO 21780），耐压须留降额裕量。电池侧钳位完善可用 80V，电机侧或钳位弱取 100V 以上，150V 留给尖峰最敏感回路。中晶新源车规 SGT 组合覆盖 80/100/120/150V 四档，如 SMT10T01AHTLQ、SMT15T04AHTLQ。

都要算：RDS(on)×I²rms 是导通损耗主项，Qg×VGS×fsw 决定驱动功耗与发热，再核 Qrr、Coss。取舍看频率：高频选低 Qg，低频大电流选低 RDS(on)；SGT 工艺能同时压低两者。内置 MOS 整流器把导通电阻与耐压绑在同一型号，分立更灵活。站内中低压 MOSFET 品类有 Qg_Typ、Coss_Typ 列可比。

浪涌期间 MOSFET 处在线性区，几毫秒到几十毫秒内承受 VDS×ID，能否扛住由 SOA 曲线与 EAS 决定，与 RDS(on) 关系不大。普通器件线性区热稳定性差，易局部热失控；线性 SGT 为此优化，SOA 更宽。例如输入 48V、8ms 内限流 2A，直接对照 10ms SOA 曲线；SMT10T03DHP/DHSS/DHTS 属此类。

RDS(on) 随栅压变化，规格书按 VGS=10V、4.5V、2.5V 分档标注，同一器件各档数值可差很多。驱动电压是几伏就看几伏那一档，逻辑电平直驱看 2.5V 档；只看 10V 档最低值下单，低压驱动下实际阻值明显偏大。热核算用 Max 值而非 Typ 值。站内中低压 MOSFET 与晶圆品类同时给出三档 Typ/Max 供比对。

升压 PFC 开关管用 650V 超结即可，升压二极管换 SiC SBD 可消除反向恢复损耗；库内 SiC SBD 的 Qc 约 9.5nC~28nC，替代硅 FRD 的收益在此。图腾柱无桥 PFC 在 CCM 下体二极管硬换流，超结体二极管 Qrr 大，只适合 CrM 模式；CCM 图腾柱要用 SiC MOSFET。

规格书 RDS(on) 多按 25°C 标注，实际结温更高，阻值也更高。SiC 涨幅远小于硅，仍要按最高结温核算，只比 25°C 值会把导通损耗估低。库内 SiC MOSFET（VGS=18V）25°C 典型约 15mΩ~390mΩ，175°C 约 20mΩ~545mΩ；品类页两列都给，满载损耗按 175°C 列算。

不能，至少改三处。开通电平：库内 SiC 的 RDS(on) 按 VGS=18V 标注，与硅的窗口不同。关断：VGS(th) 约 2.8V~3.4V，远低于硅，要关断负压并重调栅极电阻，否则易误导通、振铃。布局：选 TO247-4L 开尔文源极降寄生电感，隔离驱动按 dv/dt 核 CMTI，库内 150 kV/µs。

三电平让每个开关只承受一半母线电压：650V 器件可用于 1000V 直流母线，开关损耗与输出谐波都更低。代价是器件数与驱动通道翻倍，所以常用三电平专用模块控制体积与布线。耐压按系统最高直流母线加裕量定，库内光伏储能模块分 650V 与 1200V 两档；IGBT 模块品类可按 3-Level 配置筛型号。

库内 IGBT Vth 约 4.0V~6.5V，规格书 VCE(sat) 按 VGE=15V 给出，开通电平按此给足，沿用 MOSFET 电平开通不充分。关断电平要低于 Vth 下限，留负压更稳。驱动电流按栅极电荷反算，库内隔离驱动 IOH/IOL 为 3.0/6.0A 至 12.0/12.0A，源出与灌入分别核。

看母线电压与效率目标。400V 平台用成熟的 750V IGBT 模块；800V 平台或高频场合，1200V SiC 开关损耗更低，散热与无源体积更小。但驱动电压、dv/dt、短路耐受时间要按 SiC 重设计，隔离驱动 CMTI 一般 100 kV/μs 以上。库内车规模块分 650V/750V/1200V 三档。

IPM 把六颗 IGBT、续流二极管、栅驱、欠压与过流保护封进 DIP 模块，隔离爬电按安规做好，省去驱动设计与调试。库内 IGBT 型 IPM 为 600V 档，额定 6A~30A、峰值 12A~60A，覆盖空调、洗衣机变频板。代价是驱动时序、门极电阻被锁死，保护阈值预设，要核应用等级；大功率或特殊拓扑才回到分立。

先按启动与堵转峰值核 ICP（库内约 12A~60A），不能只看额定功率。再看结构：RC-IGBT 逆导集成，集成度更高；IGBT&FRD 用独立续流管，续流特性独立可控。续流侧 VF 约 1.5V~2.35V、Trr 约 0.15~0.3μs，决定续流损耗与换流 EMI，按载频取舍。两者不等价，替换要重评续流特性。

自举与电平搬移做的是高低边切换，不是安全隔离：非隔离驱动与控制地共地，适合低压母线或参考电位简单的场合。隔离驱动在控制侧与功率侧间建立耐压隔离层，母线需要安全防护或功能安全分区时，自举不能替代。还要区分工作电压、瞬态耐压，以及功能绝缘与加强绝缘的安规等级，不能只凭 Viso 数字判断；板级爬电与电气间隙仍要单独满足。

Viso 看安规等级：库内 3000Vrms 与 5000Vrms 两档，按功能或加强隔离要求选，越高不等于越好。耐压达标不等于抗共模干扰够，CMTI 单独核：中晶新源车规双通道型号分 100 与 150kV/µs，不足会误触发。驱动电流同理：IOH/IOL 4.0/6.0A 或 4.0/7.0A，源出与灌入不对称，按栅电荷分别核开通与关断。

量级估算：峰值栅极电流 I ≈ Qg ÷ 目标开关时间。再按驱动器 IOH（源出）与 IOL（灌入）分别核开通与关断——两者常不对称，还要给栅极电阻留裕量；电流偏小会拉长开关过程、增加损耗。库内参照：隔离驱动 IOH/IOL 3.0/6.0A 至 12.0/12.0A；中低压 MOSFET Qg 约 0.8nC~347nC，换管必须重算。

纯协议型（PD Source）只做 CC 线通信与功率协商，输出由外部 DC-DC 或反激反馈控制；可跨功率平台复用，但功率跳变时功率级动态响应要跟上协议指令。集成型把协议解析与部分功率控制做在一起，BOM 与占板收敛，适合单口小功率、功率档位固定的产品，功率范围被芯片锁定。多口另看功率分配与端口优先级。站内可按类型、端口筛选。

小功率、看重 BOM 的方案选集成型：内置 650V MOSFET 或 GaN，省去外部功率管选型与布局；内置管导通电阻 0.15~6Ω，200kHz 档只在 GaN 型号。代价是功率上限被内置管锁定，功率一变要换整颗芯片。要自选功率管 RDS(on)、封装，或跨功率档复用，用分立控制器加外置 MOSFET/GaN。功率档位以规格书为准。

库内 65~200kHz：频率越高变压器越小，但开关损耗与 EMI 难度上升；65kHz 档偏成本优先，130~200kHz 档偏小体积。控制模式看负载覆盖：QR 准谐振随负载变频，降低开关损耗与噪声；CCM/QR/DCM 多模式覆盖负载范围更宽，单一 QR 型号偏特定功率段。只比频率数字、忽视模式对轻载效率与 EMI 的影响是常见误区。

按输出电压与变压器反射电压之和加裕量选，只按输出电压会漏掉振铃尖峰；库内 40V/60V/80V/100V 四档。定下耐压再核：RDS_ON 约 9~14mΩ，大电流档选低阻；最小开通 0.7~1.0μs、最小关断 0.3~2.5μs 决定高频轻载的误开通与提前关断，要兼容初级最窄脉冲。大电流档选 DFN 5x6，SOP 散热不足。

标称 pmax_w 是峰值，不是每口能同时拿到的功率。库内 18~100W，多口最高 70W，100W 仅见单口 1C；多口（A+C、2C+1A 等）另有功率分配与端口优先级逻辑，只看峰值会高估实际体验。再核 QC3.0+、UFCS 等支持项——协议没谈拢会退回最低速率，是「标称跑不满」的常见根源。站内 PD 品类可按端口、PMAX 筛选。

BCon 经 SPB 接口向 Driver 下发分区调光数据与时序，世代不一致就无法通信。库内两代：SPB-2M 无 SCK、10~36 路，@120Hz 分区 500~12000；SPB-16M 带 SCK、6~36 路，分区 500~18000——同一 Lane 数两代分区数不同。Driver 先对齐 BCon 世代，再核通道数 4/8/16 与调光位数。

固定档位型的电流是离散表（15/20/25…60mA）；可调型 Adj 用一颗外部电阻在 15~150/200/350mA 内设定，非标电流直接选 Adj，别拿档位凑。PWM 调光只有部分可调型支持。Vin 是芯片自身供电范围，1.3V~60V，按车载 12V/24V 等电源轨选档；它不等于能驱动的 LED 串压上限，串压按拓扑核。

GBW 取信号最高频率的 5~10 倍以上；闭环带宽≈GBW/增益，高增益电路按闭环算，只看开环 GBW 会带宽不足。GBW 0.01~10MHz、Iq 0.5~1100μA，是功耗-速度权衡：低 Iq 省电，但 SR 与 GBW 同步下降，别只追最低 Iq。先按频率与增益定 GBW 下限、按功耗预算圈 Iq，再按摆幅核 SR、按精度定 VOS。

信号带噪声或过渡沿缓慢时，无迟滞比较器会在阈值附近反复翻转；库内部分型号内置约 3~3.5mV 迟滞，其余需外加迟滞网络。tpd 与 Iq 明显权衡：0.418μA 档对应 5600ns，160μA 档能到 73ns。快速过流保护取低 tpd，电池电压监测等慢信号取高 tpd 低 Iq。多通道整颗电流与输出级推挽/开漏都要查规格书。

LDO 的压差全部变成热，功耗≈(Vin−Vout)×Iload。库内 100/150/250/1000mA 四档按负载峰值电流选，按平均电流选档，瞬态时会跌出稳压范围。压差大又电流大时硬扛，等于把 LDO 当电阻发热器，应先 DC-DC 降压、再用 LDO 净化，并核封装散热。电池待机路径看 Iq，TS6122 系列低至 2μA。

版本号只说明协议特性，连接性能取决于协议栈实现。蓝牙 5.2 SoC 为 BR+BLE+2.4G 私有协议三模；私有协议档延迟与功耗更优，低延迟透传就靠它，仅凭「5.2」标签判断不了。射频 +12dBm、-99dBm@BLE 1Mbps 决定链路预算，实测距离还要算整机天线效率。同一型号不同封装引脚定义有差异，别直接复用旧封装图。

「支持加密」不是可核对的指标，认证阶段逐项对的是算法与密钥长度。金融与政企项目先核国密 SM2/SM3/SM4 是否齐备；蓝牙版本与金融级安全能力是两回事，以规格书与认证为准。再核 512KB/1MB 安全 Flash 装不装得下固件与密钥分区，超容量后期无法 OTA。最后按对接主机定 BLE 单模或双模，POS、打印连传统主机选双模。

支付受理终端按收单方要求锁定 EMV 等级，EMV3.0 对应更新的非接规范；非支付应用两档皆可，不必追高。读卡距离不达标多数不在芯片：天线与匹配网络要按芯片输出特性调谐；3.3V 轨的去耦质量影响距离，别与数字噪声源共用。频段先定生态：高频 ISO14443/15693 手机可直接读，超高频 ISO18000-6C 要专用读写器。

三项都在站内晶圆品类参数列。Wafer Thickness 是减薄档位，库内 60±10 到 200±20 多档并存，按封装或烧结工艺选，不匹配会在回流或烧结时翘曲、开裂。Die Size 单位 μm×μm，库内约 320×310 到 7000×7450。Gross Die 是单片晶圆裸片总数，8 寸从数百到数十万颗，用于单颗成本与产能测算。

认证解决「能不能用」，稳定量产还要核三项。一是宽温区内参数漂移与降额曲线：RDS(on)、驱动阈值随温度变化决定高低温边界裕量。二是失效模式可预测：驱动芯片保护阈值是否稳定，功率器件雪崩或短路时失效路径是否可控，按实际工况核。三是批次一致性与变更控制是否透明。功率模块另核功率循环寿命；车规替换工业级时接口逐项核。

进入品类页（如 /products/lv-mv-mosfet）即参数选型。筛选器有品牌、产品等级（车规/工业/消费）与各参数最小/最大区间。「列设置」自定义显示列，型号、品牌、产品等级固定显示；「导出 CSV」始终含全部列。若提示「另有 N 个型号未标注相关参数」，指这些型号在该维度无标注值、未进结果，可咨询工程师确认。

在「交叉参考」页填竞品或原厂型号、品牌与应用场景；工程师人工核对参数、封装与认证要求后邮件回复，不是在线实时应答，也不构成供货承诺。多型号可走「BOM 配单」页逐行提交。替代分三步：参数对标，逐项比耐压、导通电阻、开关特性、封装引脚；小批量验证，做温度循环、老化、EMC 与长时间运行；批量导入，分阶段切换并保留原方案备份。

Typ 是典型值，用于估算；Max 是最坏情况，热设计与裕量按 Max 算。测试条件与数值同样重要：MOSFET 的 RDS(ON) 按 VGS 分档；SiC 分 25℃ 与 175℃ 两组，按最高工作结温取值；IGBT 模块 VCE(sat) 是 @VGE=15V 典型值，栅压或结温不同的数不能直接比。站内品类列名已带条件，导出 CSV 后按同条件列比对。