参数选型

隔离栅极驱动

支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师

隔离栅极驱动芯片通过隔离结构(如磁隔离、光隔离)将控制信号与功率级电气隔离,用于高压/大功率开关电路中保护控制侧并抑制共模干扰。

深入了解:隔离栅极驱动选型指南 →
16 / 16 条

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
品牌
SINEG5350RABCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.06~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350RBBCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.09~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350RDBCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.013~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350RGBCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.04~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350SABCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.06~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350SBBCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.09~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350SDBCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.013~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5350SGBCA-AQ中晶新源IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.04~303~1860---1503000-40 ~ 125SOP8Reel/2500
SINEG5851NHCG-AQ中晶新源IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590---1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5851NHCG-DG中晶新源IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590---1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5852SHCG-AQ中晶新源IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590Y-Y1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5852SHCG-DG中晶新源IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590Y-Y1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5932SHOCG-AQ中晶新源IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590YYY1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5932SHOCG-DG中晶新源IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590YYY1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5992SHCG-AQ中晶新源IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590Y-Y1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500
SINEG5992SHCG-DG中晶新源IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590Y-Y1505000-40 ~ 125SOP16WReel/1500