内置 MOS 同步整流器选型指南

内置功率 MOS 的数字自适应同步整流器把 SR 控制器与整流 MOSFET 合封，替代次级肖特基/分立 SR 方案，用最少外围把快充与适配器的次级整流效率做上去。

关键参数怎么读

• Drain Stress（漏极耐压）：库内 40V/60V/80V/100V 四档，按输出电压与变压器反射电压之和加裕量选取。
• RDS_ON（内置 MOS 导通电阻）：库内约 9mΩ~14mΩ，直接决定次级导通损耗，大电流输出档位优先选低阻。
• 支持操作模式：CCM/QR/DCM 全兼容，与初级控制器的工作模式无需一一配对。
• 开通/关断时序：最小开通约 0.7~1.0μs、最小关断约 0.3~2.5μs，开通阈值 −150/−180mV、Pre-Off 阈值 −40/−60mV——高频轻载下的误开通与提前关断行为由这组参数决定。
• 封装：SOP-8L 与 DFN 5x6 两种，DFN 散热面更利于大电流档。

选型三步

1. 按输出电压与反射电压锁定耐压档（40~100V）；
2. 按输出电流选 RDS_ON 档位并核算导通损耗与温升；
3. 按工作频率核对最小开通/关断时间是否与初级控制器的最窄脉冲兼容。

常见误区

• 耐压只按输出电压选，漏掉变压器反射电压与振铃尖峰；
• 只比 RDS_ON 不看时序参数，高频轻载出现误导通打嗝；
• SOP 封装用在大电流档位，散热不足导致效率不达预期。

更多型号可通过在线选型器按耐压、RDS_ON 等条件筛选，具体适配问题可提交型号咨询。