参数选型
SiC 模块
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SiC 模块将碳化硅功率器件集成封装,兼具 SiC 材料的低损耗、高频特性与模块化的高功率密度,用于光伏逆变、储能变流等高效率场合。
- 拓扑与额定电流需与整机电路架构及功率等级匹配
- 模块封装的寄生电感需评估,SiC 高速开关对寄生参数更敏感
- 散热设计需考虑 SiC 器件更高的结温耐受能力能否被系统充分利用
- 驱动电路需匹配 SiC 器件所需的高 di/dt、dv/dt 驱动能力
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- 120
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 13
- 结构
- Half Bridge
- 封装
- A2.0
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- 0.135
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- 300
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 4.2
- 结构
- Half Bridge
- 封装
- A2.0
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- 0.073
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- 300
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 6.7
- 结构
- Half Bridge
- 封装
- H1.0
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- 0.073
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- 400
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 4
- 结构
- Half Bridge
- 封装
- A2.0
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- 0.063
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- 400
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 5.5
- 结构
- Half Bridge
- 封装
- H1.0
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- 0.063
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- -
- 结构
- -
- 封装
- TO-247PLUS
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- -
- 结构
- -
- 封装
- TO-247PLUS
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 2.2
- 结构
- -
- 封装
- HPD
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 2.2
- 结构
- -
- 封装
- DCSi
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 2.2
- 结构
- -
- 封装
- Easy 2B
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 2.2
- 结构
- -
- 封装
- -
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 2.2
- 结构
- -
- 封装
- TPAK
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 2.2
- 结构
- -
- 封装
- DCM
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 5.5
- 结构
- -
- 封装
- HPD
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 5.5
- 结构
- -
- 封装
- -
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 5.5
- 结构
- -
- 封装
- TPAK
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- 1200
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- 5.5
- 结构
- -
- 封装
- DCM
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
翠展微
- 集射极电压 VCES (V)
- -
- 集电极电流 IC (A)
- -
- 导通电阻 RDS(ON)@Tj=25°C 最大 (mΩ)
- -
- 结构
- -
- 封装
- -
- 热阻 Rth(j-c) (K/W)
- -
| 品牌 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GCP120MC120HBA2 | 翠展微 | 1200 | 120 | 13 | Half Bridge | A2.0 | 0.135 |
| GCP300MC120HBA2 | 翠展微 | 1200 | 300 | 4.2 | Half Bridge | A2.0 | 0.073 |
| GCP300MC120HBH1 | 翠展微 | 1200 | 300 | 6.7 | Half Bridge | H1.0 | 0.073 |
| GCP400MC120HBA2 | 翠展微 | 1200 | 400 | 4 | Half Bridge | A2.0 | 0.063 |
| GCP400MC120HBH1 | 翠展微 | 1200 | 400 | 5.5 | Half Bridge | H1.0 | 0.063 |
| GCV011MC120SGT3 | 翠展微 | 1200 | - | - | - | TO-247PLUS | - |
| GCV016MC120SGT3 | 翠展微 | 1200 | - | - | - | TO-247PLUS | - |
| GCV2R1MC120FTH3 | 翠展微 | - | - | - | - | - | - |
| GCV2R2MC120FTH3 | 翠展微 | 1200 | - | 2.2 | - | HPD | - |
| GCV2R2MC120FTHSH | 翠展微 | 1200 | - | 2.2 | - | DCSi | - |
| GCV2R2MC120SGC2 | 翠展微 | 1200 | - | 2.2 | - | Easy 2B | - |
| GCV2R2MC120SGT3 | 翠展微 | 1200 | - | 2.2 | - | - | - |
| GCV2R2MC120SGT4 | 翠展微 | 1200 | - | 2.2 | - | TPAK | - |
| GCV2R2MC120SGT5 | 翠展微 | 1200 | - | 2.2 | - | DCM | - |
| GCV3R3MC120FTH3 | 翠展微 | - | - | - | - | - | - |
| GCV4R0MC120SGT4 | 翠展微 | - | - | - | - | - | - |
| GCV5R5MC120FTH3 | 翠展微 | 1200 | - | 5.5 | - | HPD | - |
| GCV5R5MC120SGC2 | 翠展微 | 1200 | - | 5.5 | - | - | - |
| GCV5R5MC120SGT4 | 翠展微 | 1200 | - | 5.5 | - | TPAK | - |
| GCV5R5MC120SGT5 | 翠展微 | 1200 | - | 5.5 | - | DCM | - |
| GCV6R1MC120SGT4K | 翠展微 | - | - | - | - | - | - |
