参数选型

光伏与储能 IGBT 模块

支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师

光伏与储能 IGBT 模块专为光伏逆变器、储能变流器(PCS)设计,需长期承受高频开关与户外温度波动工况,强调效率与长期可靠性。

深入了解:光伏与储能 IGBT 模块选型指南 →
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翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
100
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.9
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
3.1
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
3.1
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
225
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.85
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.8
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.92
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
50
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.9
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
1200
集电极电流 IC (A)
75
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.9
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
-
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-

翠展微

集射极电压 VCES (V)
650
集电极电流 IC (A)
-
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V)
1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ)
-
结构
Boost Chopper
热阻 Rth(j-c) (K/W)
-
品牌
GCP100GU120HBA1翠展微12001001.9---A1.0
GCP150GU120HBA2翠展微12001503.1---A2.0
GCP200GU120HBA2翠展微12002003.1---A2.0
GCP225GU120NPC3N翠展微12002251.85---C3.0
GCP400GU65NPC3ND翠展微6504001.8---C3.0
GCP450GU120HBA2翠展微12004501.92---A2.0
GCP50GU120HBA1翠展微1200501.9---A1.0
GCP75GU120HBA1翠展微1200751.9---A1.0
GCV060BI065BC1翠展微650-1.7-Boost Chopper-A1.0~A2.0