参数选型

光伏与储能 IGBT 模块

支持参数筛选、排序与 CSV 导出；未收录型号可咨询我们的工程师

应用场景

工业控制光伏储能 PCS 与直流充电桩模块

光伏与储能 IGBT 模块专为光伏逆变器、储能变流器（PCS）设计，需长期承受高频开关与户外温度波动工况，强调效率与长期可靠性。

开关损耗与导通损耗的平衡需按逆变器开关频率优化，影响系统整体转换效率
功率循环寿命需覆盖光伏/储能系统的设计寿命（通常要求较长）
模块防护等级与散热设计需适应户外部署环境
并联均流特性，关系到大功率场合多模块并联应用的可行性

深入了解：光伏与储能 IGBT 模块选型指南 →

GCP100GU120HBA1

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 100
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.9
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

GCP150GU120HBA2

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 150
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 3.1
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

GCP200GU120HBA2

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 200
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 3.1
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

GCP225GU120NPC3N

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 225
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.85
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

GCP400GU65NPC3ND

翠展微

集射极电压 VCES (V): 650
集电极电流 IC (A): 400
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.8
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

GCP450GU120HBA2

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 450
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.92
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 50
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.9
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

翠展微

集射极电压 VCES (V): 1200
集电极电流 IC (A): 75
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.9
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: -
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

翠展微

集射极电压 VCES (V): 650
集电极电流 IC (A): -
饱和压降 VCE(sat) 典型 (V): 1.7
开关损耗 (Eon+Eoff)@Tj=125°C 典型 (mJ): -
结构: Boost Chopper
热阻 Rth(j-c) (K/W): -

	品牌
GCP100GU120HBA1	翠展微	1200	100	1.9	-	-	-	A1.0
GCP150GU120HBA2	翠展微	1200	150	3.1	-	-	-	A2.0
GCP200GU120HBA2	翠展微	1200	200	3.1	-	-	-	A2.0
GCP225GU120NPC3N	翠展微	1200	225	1.85	-	-	-	C3.0
GCP400GU65NPC3ND	翠展微	650	400	1.8	-	-	-	C3.0
GCP450GU120HBA2	翠展微	1200	450	1.92	-	-	-	A2.0
GCP50GU120HBA1	翠展微	1200	50	1.9	-	-	-	A1.0
GCP75GU120HBA1	翠展微	1200	75	1.9	-	-	-	A1.0
GCV060BI065BC1	翠展微	650	-	1.7	-	Boost Chopper	-	A1.0~A2.0