参数选型

隔离栅极驱动

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应用场景

汽车电子电驱逆变与 OBC工业控制变频与伺服驱动工业控制光伏储能 PCS 与直流充电桩模块工业控制工业电源、焊机与 UPS通讯与算力基站电源与 -48V 整流

隔离栅极驱动芯片通过隔离结构（如磁隔离、光隔离）将控制信号与功率级电气隔离，用于高压/大功率开关电路中保护控制侧并抑制共模干扰。

  • 隔离耐压等级需覆盖系统安规要求（如功能隔离/加强隔离的区分）
  • 共模瞬变抑制能力（CMTI）在高 dv/dt 场合尤为关键
  • 驱动电流与传播延时需匹配被驱动器件的开关速度需求
  • 是否内置死区时间、欠压闭锁等保护功能，影响外围电路设计
深入了解：隔离栅极驱动选型指南 →
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SINEG5350RABCA-AQ 产品图SINEG5350RABCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350RBBCA-AQ 产品图SINEG5350RBBCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350RDBCA-AQ 产品图SINEG5350RDBCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350RGBCA-AQ 产品图SINEG5350RGBCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350SABCA-AQ 产品图SINEG5350SABCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350SBBCA-AQ 产品图SINEG5350SBBCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350SDBCA-AQ 产品图SINEG5350SDBCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5350SGBCA-AQ 产品图SINEG5350SGBCA-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
特性
Split output
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
10.0/10.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
60
SINEG5851NHCG-AQ 产品图SINEG5851NHCG-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5851NHCG-DG 产品图SINEG5851NHCG-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5852SHCG-AQ 产品图SINEG5852SHCG-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5852SHCG-DG 产品图SINEG5852SHCG-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
3.0/6.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5932SHOCG-AQ 产品图SINEG5932SHOCG-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5932SHOCG-DG 产品图SINEG5932SHOCG-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5992SHCG-AQ 产品图SINEG5992SHCG-AQ

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
SINEG5992SHCG-DG 产品图SINEG5992SHCG-DG

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC
特性
-
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
12.0/12.0
输出电压 (V)
13~30
输入电源 VCC (V)
3~5.5
传播延时 (ns)
90
品牌产品等级
SINEG5350RABCA-AQ 产品图SINEG5350RABCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.06~303~1860---
SINEG5350RBBCA-AQ 产品图SINEG5350RBBCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.09~303~1860---
SINEG5350RDBCA-AQ 产品图SINEG5350RDBCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.013~303~1860---
SINEG5350RGBCA-AQ 产品图SINEG5350RGBCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.04~303~1860---
SINEG5350SABCA-AQ 产品图SINEG5350SABCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.06~303~1860---
SINEG5350SBBCA-AQ 产品图SINEG5350SBBCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.09~303~1860---
SINEG5350SDBCA-AQ 产品图SINEG5350SDBCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.013~303~1860---
SINEG5350SGBCA-AQ 产品图SINEG5350SGBCA-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFETSplit output10.0/10.04~303~1860---
SINEG5851NHCG-AQ 产品图SINEG5851NHCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590---
SINEG5851NHCG-DG 产品图SINEG5851NHCG-DG中晶新源-IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590---
SINEG5852SHCG-AQ 产品图SINEG5852SHCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590Y-Y
SINEG5852SHCG-DG 产品图SINEG5852SHCG-DG中晶新源-IGBT/SiC-3.0/6.013~303~5.590Y-Y
SINEG5932SHOCG-AQ 产品图SINEG5932SHOCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590YYY
SINEG5932SHOCG-DG 产品图SINEG5932SHOCG-DG中晶新源-IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590YYY
SINEG5992SHCG-AQ 产品图SINEG5992SHCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590Y-Y
SINEG5992SHCG-DG 产品图SINEG5992SHCG-DG中晶新源-IGBT/SiC-12.0/12.013~303~5.590Y-Y