参数选型
车规双通道隔离栅极驱动
支持参数筛选、排序与 CSV 导出；未收录型号可咨询我们的工程师
车规双通道隔离栅极驱动芯片用于驱动两路功率开关管（如半桥结构的上下管），提供电气隔离以隔离控制侧与功率侧，用于电驱逆变、车载电源等车规场合。
- 隔离耐压与共模瞬变抑制能力（CMTI）需满足车规EMC与安规要求
- 两通道间的传播延时匹配度，影响桥式电路的开关同步性
- 驱动电流能力需与被驱动功率器件（IGBT/SiC MOSFET）的栅极电荷匹配
- 车规认证（AEC-Q100）与宽温范围是基本门槛
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/7.0
- 输出电压 (V)
- 9~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/7.0
- 输出电压 (V)
- 13.5~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/7.0
- 输出电压 (V)
- 9~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/7.0
- 输出电压 (V)
- 13.5~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/7.0
- 输出电压 (V)
- 9~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/7.0
- 输出电压 (V)
- 13.5~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 6~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 9~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 13.5~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 4~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 6~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 9~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 13.5~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 4~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 6~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 9~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 13.5~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/SiC/GaN/MOSFET
- 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/6.0
- 输出电压 (V)
- 4~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/VIB
| 品牌 | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SINEG8233BDCG-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 9~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | Y | Y | 100 | 5000 | -40 ~ 125 | SOP16W |
| SINEG8233DDCG-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 13.5~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | Y | Y | 100 | 5000 | -40 ~ 125 | SOP16W |
| SINEG8234BDCG-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 9~40 | 3~18 | 40 | PWM | Y | Y | 100 | 5000 | -40 ~ 125 | SOP16W |
| SINEG8234DDCG-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 13.5~40 | 3~18 | 40 | PWM | Y | Y | 100 | 5000 | -40 ~ 125 | SOP16W |
| SINEG8235BDCG-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 9~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | - | - | 100 | 5000 | -40 ~ 125 | SOP16W |
| SINEG8235DDCG-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 13.5~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | - | - | 100 | 5000 | -40 ~ 125 | SOP16W |
| SINEG8243ABCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 6~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8243BBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 9~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8243DBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 13.5~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8243GBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 4~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8244ABCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 6~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8244BBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 9~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8244DBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 13.5~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8244GBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 4~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8245ABCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 6~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8245BBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 9~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8245DBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 13.5~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |
| SINEG8245GBCL-AQ | 中晶新源 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 4~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | 3000 | -40 ~ 125 | SOP16 |