参数选型
车规双通道隔离栅极驱动
支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师
应用场景
车规双通道隔离栅极驱动芯片用于驱动两路功率开关管(如半桥结构的上下管),提供电气隔离以隔离控制侧与功率侧,用于电驱逆变、车载电源等车规场合。
- 隔离耐压与共模瞬变抑制能力(CMTI)需满足车规EMC与安规要求
- 两通道间的传播延时匹配度,影响桥式电路的开关同步性
- 驱动电流能力需与被驱动功率器件(IGBT/SiC MOSFET)的栅极电荷匹配
- 车规认证(AEC-Q100)与宽温范围是基本门槛
AI选型助手 · 车规双通道隔离栅极驱动
试运行中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
7.0 - 输出电压 (V)
- 9~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
7.0 - 输出电压 (V)
- 13.5~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
7.0 - 输出电压 (V)
- 9~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
7.0 - 输出电压 (V)
- 13.5~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
7.0 - 输出电压 (V)
- 9~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
7.0 - 输出电压 (V)
- 13.5~40
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 40
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 6~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 9~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 13.5~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 4~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 6~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 9~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 13.5~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 4~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- PWM
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 6~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 9~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 13.5~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
中晶新源
- 功率开关
- IGBT/
SiC/ GaN/ MOSFET - 拉/灌电流 IOH/IOL (A)
- 4.0/
6.0 - 输出电压 (V)
- 4~30
- 输入电源 VCC (V)
- 3~18
- 传播延时 (ns)
- 48
- 输入配置
- VIA/
VIB
| 品牌 | 产品等级 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 9~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | Y | Y | 100 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 13.5~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | Y | Y | 100 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 9~40 | 3~18 | 40 | PWM | Y | Y | 100 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 13.5~40 | 3~18 | 40 | PWM | Y | Y | 100 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 9~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | - | - | 100 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/7.0 | 13.5~40 | 3~18 | 40 | VIA/VIB | - | - | 100 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 6~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 9~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 13.5~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 4~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 6~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 9~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 13.5~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 4~30 | 3~18 | 48 | PWM | Y | Y | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 6~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 9~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 13.5~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 | |
| 中晶新源 | 车规 | IGBT/SiC/GaN/MOSFET | 4.0/6.0 | 4~30 | 3~18 | 48 | VIA/VIB | - | - | 150 |
