参数选型

车规双通道隔离栅极驱动

支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师

应用场景

车规双通道隔离栅极驱动芯片用于驱动两路功率开关管(如半桥结构的上下管),提供电气隔离以隔离控制侧与功率侧,用于电驱逆变、车载电源等车规场合。

  • 隔离耐压与共模瞬变抑制能力(CMTI)需满足车规EMC与安规要求
  • 两通道间的传播延时匹配度,影响桥式电路的开关同步性
  • 驱动电流能力需与被驱动功率器件(IGBT/SiC MOSFET)的栅极电荷匹配
  • 车规认证(AEC-Q100)与宽温范围是基本门槛
深入了解:车规双通道隔离栅极驱动选型指南 →
18 / 18 条

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/7.0
输出电压 (V)
9~40
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
40
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/7.0
输出电压 (V)
13.5~40
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
40
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/7.0
输出电压 (V)
9~40
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
40
输入配置
PWM

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/7.0
输出电压 (V)
13.5~40
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
40
输入配置
PWM

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/7.0
输出电压 (V)
9~40
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
40
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/7.0
输出电压 (V)
13.5~40
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
40
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
13.5~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
PWM

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
PWM

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
13.5~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
PWM

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
PWM

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
6~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
9~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
13.5~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB

中晶新源

功率开关
IGBT/SiC/GaN/MOSFET
拉/灌电流 IOH/IOL (A)
4.0/6.0
输出电压 (V)
4~30
输入电源 VCC (V)
3~18
传播延时 (ns)
48
输入配置
VIA/VIB
品牌产品等级
SINEG8233BDCG-AQ 产品图SINEG8233BDCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/7.09~403~1840VIA/VIBYY100
SINEG8233DDCG-AQ 产品图SINEG8233DDCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/7.013.5~403~1840VIA/VIBYY100
SINEG8234BDCG-AQ 产品图SINEG8234BDCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/7.09~403~1840PWMYY100
SINEG8234DDCG-AQ 产品图SINEG8234DDCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/7.013.5~403~1840PWMYY100
SINEG8235BDCG-AQ 产品图SINEG8235BDCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/7.09~403~1840VIA/VIB--100
SINEG8235DDCG-AQ 产品图SINEG8235DDCG-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/7.013.5~403~1840VIA/VIB--100
SINEG8243ABCL-AQ 产品图SINEG8243ABCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.06~303~1848VIA/VIBYY150
SINEG8243BBCL-AQ 产品图SINEG8243BBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.09~303~1848VIA/VIBYY150
SINEG8243DBCL-AQ 产品图SINEG8243DBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.013.5~303~1848VIA/VIBYY150
SINEG8243GBCL-AQ 产品图SINEG8243GBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.04~303~1848VIA/VIBYY150
SINEG8244ABCL-AQ 产品图SINEG8244ABCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.06~303~1848PWMYY150
SINEG8244BBCL-AQ 产品图SINEG8244BBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.09~303~1848PWMYY150
SINEG8244DBCL-AQ 产品图SINEG8244DBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.013.5~303~1848PWMYY150
SINEG8244GBCL-AQ 产品图SINEG8244GBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.04~303~1848PWMYY150
SINEG8245ABCL-AQ 产品图SINEG8245ABCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.06~303~1848VIA/VIB--150
SINEG8245BBCL-AQ 产品图SINEG8245BBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.09~303~1848VIA/VIB--150
SINEG8245DBCL-AQ 产品图SINEG8245DBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.013.5~303~1848VIA/VIB--150
SINEG8245GBCL-AQ 产品图SINEG8245GBCL-AQ中晶新源车规IGBT/SiC/GaN/MOSFET4.0/6.04~303~1848VIA/VIB--150