产品详情
SMP2305AUAE
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- Trench
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS
- -20 V
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- -0.7 V
- With ESD
- No
- Die Size (μm×μm)
- 920*720
- Gross Die (8" wafer)
- 43516
- Wafer Thickness (μm)
- 150±15
- 栅源电压 VGS 最大
- ±12 V
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 27 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 34 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@2.5V 典型
- 35 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@2.5V 最大
- 45 mΩ
- 输入电容 Ciss 典型
- 820 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 114 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 93 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 7.3 nC
- Qgs_Typ
- 1 nC
- Qgd_Typ
- 1.6 nC
- 结温 Tj
- 150 °C
- 原厂备注
- Trench P
不确定怎么选？阅读《MOSFET 晶圆/裸片选型指南》 →