产品详情
SMT8001BHPD
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 80 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 1.6 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 1.3 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- With ESD
- No
- Die Size (μm×μm)
- 4100*3740
- Gross Die (8" wafer)
- 1800
- Wafer Thickness (μm)
- 100±10
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 输入电容 Ciss 典型
- 7985 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 2129 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 54 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 106 nC
- Qgs_Typ
- 36 nC
- Qgd_Typ
- 16.4 nC
- 结温 Tj
- 150 °C
- 原厂备注
- FAB 2 SGT
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