产品详情
SMT6003DHAD
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 60 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 3.9 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 3.3 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 3000*1800
- Gross Die (8" wafer)
- 5092
- Wafer Thickness (mm)
- 105±10
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 输入电容 Ciss 典型
- 2702 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 484 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 22 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 46 nC
- Qgs_Typ
- 10.7 nC
- Qgd_Typ
- 11.7 nC