产品详情
SMT6002AHAD
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 60 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 2.9 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 2.4 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- With ESD
- No
- Die Size (μm×μm)
- 3300*2000
- Gross Die (8" wafer)
- 4120
- Wafer Thickness (μm)
- 105±10
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 输入电容 Ciss 典型
- 3335 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 647 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 23 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 54 nC
- Qgs_Typ
- 13.8 nC
- Qgd_Typ
- 14.4 nC
- 结温 Tj
- 175 °C
- 原厂备注
- SGT N
不确定怎么选？阅读《MOSFET 晶圆/裸片选型指南》 →