产品详情
SMT300SALPB
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 30 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 0.7 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 0.57 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 1.7 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 3350*2650
- Gross Die (8" wafer)
- 3076
- Wafer Thickness (mm)
- 75±10
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 0.81 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 1 mΩ
- 输入电容 Ciss 典型
- 6378 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 3769 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 480 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 115 nC
- Qgs_Typ
- 15.4 nC
- Qgd_Typ
- 23 nC