产品详情
SMT10T03EHAF
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 100 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 3.3 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 2.7 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- With ESD
- No
- Die Size (μm×μm)
- 3970*3500
- Gross Die (8" wafer)
- 1974
- Wafer Thickness (μm)
- 200±20
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 输入电容 Ciss 典型
- 4799 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 1256 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 50 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 68 nC
- Qgs_Typ
- 19 nC
- Qgd_Typ
- 15 nC
- 结温 Tj
- 150 °C
- 原厂备注
- FAB 2 SGT
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