产品详情
SMT10T01BHAF2
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 100 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 1.2 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 0.98 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 6600*5050
- Gross Die (8" wafer)
- 805
- Wafer Thickness (mm)
- 200±20
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 输入电容 Ciss 典型
- 12889 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 4379 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 150 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 184 nC
- Qgs_Typ
- 55 nC
- Qgd_Typ
- 43 nC