产品详情
SMP10T40ALAE
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- P
- 漏源电压 VDS
- -100 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 40 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 30 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- -1.8 V
- With ESD
- No
- Die Size (μm×μm)
- 2570*1735
- Gross Die (8" wafer)
- 6309
- Wafer Thickness (μm)
- 150±15
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 36 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 50 mΩ
- 输入电容 Ciss 典型
- 1402 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 317 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 14 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 23 nC
- Qgs_Typ
- 4.9 nC
- Qgd_Typ
- 4.2 nC
- 结温 Tj
- 175 °C
- 原厂备注
- SGT P
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