功率器件产品线
旗下产品
深圳市突触半导体旗下的功率器件产品线，覆盖中低压与高压功率 MOSFET，提供晶圆与封装成品两种形态。
突触半导体旗下产品线，独立于所代理品牌，自主规划与管理。
产品
产品型号
按供货形态分组，参数与状态直接取自产品库；后续型号将陆续公开。
Wafers
封装成品
SYN8205A
在售20V 双N沟道增强型 MOSFET · SOT-23-6
- VDS(max)
- 20 V
- ID(max)
- 6 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @4.5V
- 20 mΩ
- 供货形态
- SOT-23-6
SYN11N45F
在售450V N沟道功率 MOSFET · TO-220F
- VDS(max)
- 450 V
- ID(max)
- 11 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 520 mΩ
- 供货形态
- TO-220F
SYN740D
在售400V N沟道功率 MOSFET · TO-252
- VDS(max)
- 400 V
- ID(max)
- 10 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 470 mΩ
- 供货形态
- TO-252
SYN740T
在售400V N沟道功率 MOSFET · TO-220
- VDS(max)
- 400 V
- ID(max)
- 10 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 470 mΩ
- 供货形态
- TO-220
SYN740F
在售400V N沟道功率 MOSFET · TO-220F
- VDS(max)
- 400 V
- ID(max)
- 10 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 470 mΩ
- 供货形态
- TO-220F
SYN9N50F
在售500V N沟道功率 MOSFET · TO-220F
- VDS(max)
- 500 V
- ID(max)
- 9 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 660 mΩ
- 供货形态
- TO-220F
SYN9N50S
在售500V N沟道功率 MOSFET · TO-263
- VDS(max)
- 500 V
- ID(max)
- 9 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 660 mΩ
- 供货形态
- TO-263
SYN9N50D
在售500V N沟道功率 MOSFET · TO-252
- VDS(max)
- 500 V
- ID(max)
- 9 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 660 mΩ
- 供货形态
- TO-252
4007ALPX
在售40V N沟道功率 MOSFET · PDFN5060-8L
- VDS(max)
- 40 V
- ID(max)
- 314 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 0.73 mΩ
- 供货形态
- PDFN5060-8L
QH4012AHP
在售40V N沟道功率 MOSFET · PDFN5060-8L
- VDS(max)
- 40 V
- ID(max)
- 212 A硅片极限，按 RθJC 计算
- RDS(ON) 典型值 @10V
- 1.2 mΩ
- 供货形态
- PDFN5060-8L
供应形态
晶圆与封装成品供应，支持定制制造
旗下产品提供晶圆与封装成品两种交付形态。如需基于现有产品定制制造，可联系工程团队获取支持。