SMT10T130ALU 产品图

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SMT10T130ALU

中晶新源 SineSemi核心代理商

中低压 MOSFETTO252-3L
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参数规格

封装
TO252-3L
结构
N
漏源电压 VDS
100 V
漏极电流 ID
7.4 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
137 mΩ
车规 (Y/N)
N
阈值电压 VGS(th) 典型
1.8 V
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
112 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
139 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
175 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
结温 Tj
150 °C
雪崩能量 EAS 最大
1.6 mJ
输入电容 Ciss 典型
79 pF
输出电容 Coss 典型
40 pF
反向传输电容 Crss 典型
2.4 pF
总栅极电荷 Qg 典型
2.2 nC
ESD
No
最小包装量
2500 pcs
最小订购量
25000 pcs
应用推荐-马达驱动
Y
应用推荐-高频电源
Y
应用推荐-通用开关
Y

封装与电路符号

SMT10T130ALU 封装外形、引脚配置与电路符号图
封装外形 · 引脚配置 · 电路符号(源自中晶新源官方 datasheet)