产品详情
SMT10T02AHPDCQ
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 封装
- PDFN5060-8L-DC
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 100 V
- 漏极电流 ID
- 209 A
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 2.5 mΩ
- 车规 (Y/N)
- Y
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 2 mΩ
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 结温 Tj
- 175 °C
- 雪崩能量 EAS 最大
- 1000 mJ
- 输入电容 Ciss 典型
- 4818 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 2345 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 50 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 70 nC
- 最小包装量
- 5000 pcs
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