产品详情
HYC3606E
华源智信 HYASIC核心代理商
参数规格
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率
- 89 kHz
- 控制模式
- CCM/
QR/ DCM - 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON)
- 0.36 Ω
- 封装
- ESOP-8L/
DFN5×6 - BRWO / BRWO OVP
- √
- 输出过压保护 OVP
- AR
- VCC 过压保护
- 38V/
AR - LPS
- √
- OLP
- √
- 内置OTP
- AR
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