参数选型
ACDC 内置功率管反激控制器
支持参数筛选、排序与 CSV 导出;未收录型号可咨询我们的工程师
该类芯片将反激控制器与功率开关管集成在同一封装内,简化电源设计,用于小功率充电器、适配器等场合。
- 内置功率管的耐压与导通电阻需匹配输出功率等级,避免降额不足
- 轻载/空载效率影响能效认证(如待机功耗限值)达标情况
- 开关频率与调制模式(PWM/PFM切换等)影响效率与EMI表现
- 保护功能集成度越高,外围元件越少,但也降低了系统调试的灵活性
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1.2
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1.2
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 65
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1.9
- 封装
- SOP-8L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1.8
- 封装
- SOP-8L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1.8
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 65
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 6
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 6
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/DCM
- 内置MOS
- 内置650V MOSFET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1.8
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/QR/DCM
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.8
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.8
- 封装
- SOP-7L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1
- 封装
- ESOP-8L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/QR/DCM
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.36
- 封装
- ESOP-8L/DFN5×6
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.36
- 封装
- ESOP-8L, DFN5x6
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1
- 封装
- ESOP-7L, ESOP-8L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/QR/DCM
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 1
- 封装
- ESOP-8L
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.36
- 封装
- ESOP-8L, DFN5x6
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 89
- 控制模式
- CCM/QR/DCM
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.16
- 封装
- DFN6x8
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- -
- 控制模式
- -
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- -
- 封装
- -
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.16
- 封装
- DFN6x8
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 130
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.16
- 封装
- DFN6x8
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 150
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.15
- 封装
- DFN8x8
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 150
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.15
- 封装
- DFN6x8
华源智信
- 系列/类型
- 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器
- 最高频率 (kHz)
- 200
- 控制模式
- QR
- 内置MOS
- 内置650V GaN FET
- 导通电阻 RDS(ON) (Ω)
- 0.15
- 封装
- DFN6x8
| 品牌 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HYC1502 | 华源智信 | 智能多模式原边反馈反激控制器 | 65 | QR/DCM | Ros_ON=20Ω | - | SOP-8L | AR | 38V/AR | √ | - | - | - | - | √ | - | - |
| HYC1551 | 华源智信 | 智能多模式原边反馈反激控制器 | 89 | QR/DCM | 4N65 | - | SOP-8L | AR | 38V/AR | √ | - | - | - | - | √ | √ | √ |
| HYC1602D | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 1.2 | SOP-7L | √√ | - | 38V/AR | - | √√ AR | - | - | - | - | - |
| HYC1602E | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 1.2 | SOP-7L | √√ | - | 38V/AR | √√√ | - | - | AR | - | - | - |
| HYC1603C | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 65 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 1.9 | SOP-8L | - | - | 38V/Latch | √ | - | √ | AR | - | - | - |
| HYC1603E | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 1.8 | SOP-8L | - | - | 38V/AR | √√ | - | - | AR | - | - | - |
| HYC1603P | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 1.8 | SOP-7L | - | - | 38V/AR | √ | - | - | AR | - | - | - |
| HYC1632E | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 65 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 6 | SOP-7L | - | - | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC1632H | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V MOSFET | 6 | SOP-7L | - | - | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC1633E | 华源智信 | 内置650V MOSFET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/DCM | 内置650V MOSFET | 1.8 | SOP-7L | - | - | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3601E | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/QR/DCM | 内置650V GaN FET | 0.8 | SOP-7L | √ | √ | AR 38V/AR | √ | - | - | AR | - | - | - |
| HYC3601H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 0.8 | SOP-7L | √ | AR | 38V/AR | - | - | - | AR | - | - | - |
| HYC3603H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 1 | ESOP-8L | - | AR | 38V/AR | - | √√ | - | AR | - | - | - |
| HYC3606E | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/QR/DCM | 内置650V GaN FET | 0.36 | ESOP-8L/DFN5×6 | √ | AR | 38V/AR | - | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3606H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 0.36 | ESOP-8L, DFN5x6 | √ | AR | 38V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3631H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 1 | ESOP-7L, ESOP-8L | √ | AR | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3632E | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/QR/DCM | 内置650V GaN FET | 1 | ESOP-8L | √ | AR | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3636H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 0.36 | ESOP-8L, DFN5x6 | √ | AR | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3656E | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 89 | CCM/QR/DCM | 内置650V GaN FET | 0.16 | DFN6x8 | √ | AR | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3656H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | - | - | 内置650V GaN FET | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| HYC3657H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 0.16 | DFN6x8 | √ | AR | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3662H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 130 | QR | 内置650V GaN FET | 0.16 | DFN6x8 | √ | AR | 55V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3686H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 150 | QR | 内置650V GaN FET | 0.15 | DFN8x8 | √ | AR | 80V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3687H | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 150 | QR | 内置650V GaN FET | 0.15 | DFN6x8 | √ | AR | 80V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
| HYC3687X | 华源智信 | 内置650V氮化镓(GaN)FET的智能多模式反激控制器 | 200 | QR | 内置650V GaN FET | 0.15 | DFN6x8 | √ | AR | 80V/AR | √ | √ | √ | AR | - | - | - |
