产品详情
SMT400SAHAD
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- SGT
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 40 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 0.5 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 0.43 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 3 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 6300*4580
- Gross Die (8" wafer)
- 909
- Wafer Thickness (mm)
- 105±10
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 输入电容 Ciss 典型
- 14999 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 8191 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 320 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 194 nC
- Qgs_Typ
- 68 nC
- Qgd_Typ
- 31 nC