产品详情
SMN4013ALAE
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 工艺
- Trench
- 结构
- N
- 漏源电压 VDS
- 40 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 12 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 9.6 mΩ
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 1.5 V
- With ESD
- No
- Die Size (mm²)
- 1450*1080
- Gross Die (8" wafer)
- 18500
- Wafer Thickness (mm)
- 150±15
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 12 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 15.6 mΩ
- 输入电容 Ciss 典型
- 1143 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 112 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 92 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 23 nC
- Qgs_Typ
- 2.9 nC
- Qgd_Typ
- 4.4 nC