产品详情
SMT4007ALPDQ
中晶新源 SineSemi核心代理商
参数规格
- 封装
- PDFN5060-8L-D
- 结构
- N+N
- 漏源电压 VDS
- 40 V
- 漏极电流 ID
- 51 A
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
- 7.9 mΩ
- 车规 (Y/N)
- Y
- 阈值电压 VGS(th) 典型
- 1.7 V
- 导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
- 6.6 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
- 9 mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
- 11.3 mΩ
- 栅源电压 VGS 最大
- ±20 V
- 结温 Tj
- 175 °C
- 雪崩能量 EAS 最大
- 58 mJ
- 输入电容 Ciss 典型
- 611 pF
- 输出电容 Coss 典型
- 368 pF
- 反向传输电容 Crss 典型
- 19 pF
- 总栅极电荷 Qg 典型
- 9 nC
- 最小包装量
- 5000 pcs
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