SMT10T06AHU 产品图

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SMT10T06AHU

中晶新源 SineSemi核心代理商

中低压 MOSFETTO220-3L
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参数规格

封装
TO220-3L
结构
N
漏源电压 VDS
100 V
漏极电流 ID
100 A
导通电阻 RDS(ON)@10V 最大
6.8 mΩ
车规 (Y/N)
N
阈值电压 VGS(th) 典型
3 V
导通电阻 RDS(ON)@10V 典型
5.7 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±20 V
结温 Tj
150 °C
雪崩能量 EAS 最大
384 mJ
输入电容 Ciss 典型
2472 pF
输出电容 Coss 典型
978 pF
反向传输电容 Crss 典型
15 pF
总栅极电荷 Qg 典型
38 nC
ESD
No
最小包装量
2500 pcs
最小订购量
25000 pcs
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Y
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Y
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Y