OX1S60N02T 产品图

产品详情

OX1S60N02T

澳芯瑞能 OXRIpower核心代理商

中低压 MOSFETTO-252

参数规格

封装
TO-252
结构
N
漏源电压 VDS
20 V
漏极电流 ID
60 A
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 典型
4.5 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@4.5V 最大
6 mΩ
栅源电压 VGS 最大
±12 V
工艺
Trench
导通电阻 RDS(ON)@2.5V 典型
5.5 mΩ
导通电阻 RDS(ON)@2.5V 最大
8 mΩ
阈值电压 Vth
0.58 V